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MOCVD\/HVPE生長寬禁帶半導體氮化鎵（GaN）薄膜片

N型、P型、半絕緣型4H-SiC單晶切割、拋光、超薄襯底片，可定制

供應磷化銦（InP）單晶片用于制備LD、HEMT等器件

中芯晶研供應外延級化合物半導體砷化鎵（GaAs）單晶片

III-V族直接帶隙半導體：導電型與半絕緣型氮化鎵（GaN）襯底

外延生長砷化鎵（GaAs）薄膜用于微波射頻器件

半導體廠商供應III-V化合物砷化銦（InAs）單晶片

直徑150mm、200mm導電型單晶4H碳化硅（4H-SiC）

供應寬禁帶半導體：低缺陷密度碳化硅晶錠、晶片

定制化碳化硅（SiC）外延服務支持多層結構設計

高均勻性、低缺陷密度SiC外延片功率器件制造核心材料

5G基站專用材料：半絕緣4H-SiC單晶——射頻器件襯底

SiC外延代工服務：支持4\/6英寸晶圓、科研機構\/企業(yè)定制

高導熱SiC單晶襯底切割服務支持4\/6\/8英寸晶片

低應力低氧含量SiC拋光單晶片車規(guī)級MOSFET芯片制造

高效能高穩(wěn)定性SiC外延片，適用于高頻、高溫環(huán)境，推動綠色能源發(fā)展

超薄SiC外延片厚度5μm±0.5μm高精度控制高頻功率、低損耗材料

碳化硅（SiC）外延片用于SBD，MOSFET，MESFET等器件制備，可定制

MOCVD\/HVPE生長硅\/碳化硅\/藍寶石基氮化鎵（GaN）薄膜片

三五族半導體N型、P型銻化鎵（GaSb）晶片，單面、雙面拋光

（100）、(111)晶向N、P導電型單雙拋鍺（Ge）單晶片

外延級N型與半絕緣型4H碳化硅(4H-SiC)襯底晶片

單面或雙面拋光N型、P型砷化銦(InAs）半導體晶片

寬禁帶半導體：氮化鎵（GaN）單晶自支撐襯底片