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MOCVD\/HVPE生長寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）薄膜片

N型、P型、半絕緣型4H-SiC單晶切割、拋光、超薄襯底片，可定制

供應(yīng)磷化銦（InP）單晶片用于制備LD、HEMT等器件

中芯晶研供應(yīng)外延級化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）單晶片

III-V族直接帶隙半導(dǎo)體：導(dǎo)電型與半絕緣型氮化鎵（GaN）襯底

外延生長砷化鎵（GaAs）薄膜用于微波射頻器件

半導(dǎo)體廠商供應(yīng)III-V化合物砷化銦（InAs）單晶片

直徑150mm、200mm導(dǎo)電型單晶4H碳化硅（4H-SiC）

供應(yīng)寬禁帶半導(dǎo)體：低缺陷密度碳化硅晶錠、晶片

定制化碳化硅（SiC）外延服務(wù)支持多層結(jié)構(gòu)設(shè)計

高均勻性、低缺陷密度SiC外延片功率器件制造核心材料

5G基站專用材料：半絕緣4H-SiC單晶——射頻器件襯底