.jpg "高導(dǎo)熱SiC單晶襯底切割服務(wù)支持4\/6\/8英寸晶片")
| 產(chǎn)品參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 高導(dǎo)熱 SiC 單晶襯底切割服務(wù) 支持4/6/8英寸晶片 品牌 | 中芯晶研 | ||
| 批號(hào) | 最新 | ||
| 封裝 | 單片包裝 | ||
| 包裝 | 盒裝 | ||
| 最小包裝量 | 1 | ||
| 品名 | 碳化硅晶片 | ||
| 晶型 | 4H | ||
| 厚度 | 可定制 | ||
| 表面處理 | 單面或雙面拋光 | ||
| 外觀 | 薄膜片 | ||
| 尺寸 | 4、6、8英寸 | ||
| 數(shù)量 | 1 | ||
| 售賣地區(qū) | 全國(guó) | ||
| 可售賣地 | 全國(guó) | ||
| 用途 | 半導(dǎo)體領(lǐng)域 | ||
| 等級(jí) | 工業(yè)級(jí)、研究級(jí)、測(cè)試級(jí) | ||
| 型號(hào) | N型、P型、半絕緣型 | ||
可提供不同尺寸厚度、不同質(zhì)量等級(jí)、不同類型的半導(dǎo)體碳化硅單晶襯底。根據(jù)導(dǎo)電類型，碳化硅襯底類型主要分為導(dǎo)電N型、P型和半絕緣型。以下列舉6英寸N型與半絕緣型碳化硅襯底參數(shù)僅供參考：
1. 碳化硅襯底規(guī)格
1.1 6英寸導(dǎo)電N型4H-SiC襯底規(guī)格
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1.2 6英寸高純半絕緣4H-SiC襯底規(guī)格
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2. 碳化硅半導(dǎo)體材料特性
碳化硅晶片具有優(yōu)異的熱力學(xué)和電化學(xué)性能，具體參數(shù)如下表：
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3. 碳化硅襯底片應(yīng)用
更多產(chǎn)品信息或疑問請(qǐng)郵件咨詢：vp@honestgroup.cn
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