.jpg "藍(lán)寶石\/硅\/碳化硅基氮化鎵（GaN）外延片：LED，LD，HEMT應(yīng)用")
| 產(chǎn)品參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 藍(lán)寶石/硅/碳化硅基氮化鎵（GaN）外延片：LED，LD，HEMT應(yīng)用 品牌 | 中芯晶研 | ||
| 批號(hào) | 最新 | ||
| 封裝 | 單片包裝 | ||
| 包裝 | 盒裝 | ||
| 品名 | 氮化鎵外延片 | ||
| 外延技術(shù) | MOCVD | ||
| 尺寸 | 2、4、6英寸 | ||
| 結(jié)構(gòu) | 可定制生長(zhǎng) | ||
| 外觀 | 薄膜片 | ||
| 外延應(yīng)用 | LED、LD、HEMT器件制備 | ||
| 數(shù)量 | 10 | ||
| 可售賣地區(qū) | 全國(guó) | ||
| 可售賣地 | 全國(guó) | ||
| 型號(hào) | 藍(lán)寶石、硅、碳化硅基 | ||
作為第三代半導(dǎo)體材料，氮化鎵 (GaN) 具有優(yōu)越的禁帶寬度（遠(yuǎn)高于硅和碳化硅）、熱導(dǎo)率、電子遷移率以及導(dǎo)通電阻。由于高溫下GaN生長(zhǎng)過(guò)程中N的離解壓力較高，很難獲得大尺寸的GaN單晶材料，所以在異質(zhì)襯底上制備外延GaN薄膜已經(jīng)成為研究GaN材料和器件的主要方法。目前，GaN外延生長(zhǎng)方法有氫化物氣相外延（HVPE）、分子束外延（MBE）、金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉淀（MOCVD）。目前，大多數(shù)商用器件都是基于GaN異質(zhì)外延的，主要襯底是碳化硅（SiC）、硅（Si）和藍(lán)寶石（Sapphire）。
可提供2、4、6英寸硅或碳化硅基氮化鎵(GaN on SiC/Si) HEMT 外延片，也可提供藍(lán)寶石基氮化鎵（GaN on Sapphire）HEMT外延片。
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SiC/Si基GaN HEMT典型外延結(jié)構(gòu)
1.GaN on SiC HEMT外延
該外延材料結(jié)合了SiC優(yōu)異的導(dǎo)熱性能和GaN高頻和低損耗性能，所以GaN on SiC 熱導(dǎo)率高，使得器件可以在高電壓和高漏電流下工作，是射頻器件的理想材料。目前，GaN-on-SiC外延片主要應(yīng)用于5G基站、國(guó)防領(lǐng)域射頻前端的功率放大器（PA）。
2.GaN-on-Si?HEMT外延
由于使用Si襯底材料,可在大直徑硅晶圓上外延GaN且具有與傳統(tǒng)Si工藝兼容等優(yōu)勢(shì),成為功率半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展的理想選擇。GaN on Si HEMT外延有常開型即耗盡型（D型）和常關(guān)型即增強(qiáng)型（E型）兩種。
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3.GaN-on-Sapphire HEMT外延
該外延結(jié)構(gòu)具有良好的均勻性、高擊穿電壓、極低的緩沖區(qū)泄漏電流、高電子濃度、高電子遷移率和低方塊電阻，用于射頻和功率半導(dǎo)體器件。在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)的 GaN HEMT 可以通過(guò)將器件倒裝芯片鍵合到導(dǎo)熱和電絕緣的襯底（例如氮化鋁陶瓷）上來(lái)實(shí)現(xiàn)熱管理。
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GaN on Sapphire HEMT典型外延結(jié)構(gòu)
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