產(chǎn)品參數(shù) | |||
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品牌 | 中芯晶研 | ||
批號 | 最新 | ||
封裝 | 單片包裝 | ||
品名 | 碳化硅晶片 | ||
晶型 | 4H | ||
厚度 | 可定制 | ||
表面處理 | 單面或雙面拋光 | ||
外觀 | 薄膜片 | ||
尺寸 | 2、3、4、6英寸 | ||
數(shù)量 | 1 | ||
售賣地區(qū) | 全國 | ||
可售賣地 | 全國 | ||
用途 | 半導體領域 | ||
等級 | 工業(yè)級、研究級、測試級 | ||
型號 | N型、半絕緣型 |
碳化硅(SiC)半導體材料是一種共價鍵晶體,有閃鋅礦型和鉛鋅礦 型兩種結晶形式。SiC晶體存在各種多型體(多晶型體),它們的物理特性值各有不同。其中,只有4H-SiC和6H-SiC的六方結構和3C-SiC的立方結構可以用于商業(yè)用途,且4H-SiC最適用于功率元器件。碳化硅單晶處于碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的前沿,是高端芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎和關鍵。SiC襯底尺寸越大,每個單位襯底上可以制造的芯片越多,邊緣浪費越小,因此單位芯片成本越低。
可提供不同尺寸厚度、不同質(zhì)量等級的半導體碳化硅單晶襯底。根據(jù)導電類型,碳化硅襯底類型主要分為導電N型和半絕緣型。以下列舉6英寸N型與半絕緣型碳化硅襯底參數(shù)僅供參考:
1. 碳化硅襯底規(guī)格
1.1 6英寸導電N型4H-SiC襯底規(guī)格
1.2 6英寸高純半絕緣4H-SiC襯底規(guī)格
2. 碳化硅半導體材料特性
碳化硅晶片具有優(yōu)異的熱力學和電化學性能,具體參數(shù)如下表:
3. 碳化硅襯底片的用途
導電N型碳化硅襯底主要用于碳化硅外延,制成碳化硅二極管、MOSFET等功率器件,應用在高溫高壓環(huán)境中,應用于新能源汽車、歸到交通、智能電網(wǎng)、航天航空等領域。
而半絕緣碳化硅襯底主要用于氮化鎵(GaN)外延,制成HEMT等微波器件,用于高溫高頻環(huán)境,5G通信、衛(wèi)星、雷達等領域。
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