產(chǎn)品參數(shù) | |||
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品牌 | 中芯晶研 | ||
批號(hào) | 最新 | ||
封裝 | 單片包裝 | ||
包裝 | 盒裝 | ||
晶體結(jié)構(gòu) | 纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu) | ||
帶隙 | 3.4eV | ||
有效面積 | >90 | ||
總厚度變化 | ≤15um | ||
彎曲度 | ≤20um | ||
拋光 | 正面:外延級(jí)拋光;背面:精磨 | ||
數(shù)量 | 10 | ||
可售賣地區(qū) | 全國 | ||
可售賣地 | 全國 | ||
型號(hào) | N型,半絕緣型 |
氮化鎵(GaN)是二十世紀(jì)九十年代以來常用于發(fā)光二極管的二元III / V族直接帶隙半導(dǎo)體。該化合物是一種非常堅(jiān)硬的材料,具有纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)。其3.4 eV的寬帶隙為光電,高功率和高頻器件的應(yīng)用提供了特殊的性能??晒浠餁庀嗤庋樱℉VPE)技術(shù)生長導(dǎo)電型與半絕緣型氮化鎵單晶襯底晶片,晶片參數(shù)大致如下:
1. 氮化鎵晶片規(guī)格參數(shù)
2. 氮化鎵襯底的應(yīng)用場(chǎng)景
1)GaN襯底可制備發(fā)光二極管(LED)與紫外激光二極管(LD);
2)它對(duì)電離輻射的敏感性很低(與其他III族氮化物一樣),使其成為衛(wèi)星太陽能電池陣列的合適材料。
3)由于設(shè)備在輻射環(huán)境中表現(xiàn)出穩(wěn)定性,因此太空應(yīng)用也可能受益。
4)由于GaN晶體管可以在更高的溫度下工作,并且工作電壓比砷化鎵(GaAs)晶體管高得多,因此它們可以在微波頻率下制造理想的功率放大器。
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