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產(chǎn)品簡介
寬禁帶半導(dǎo)體:氮化鎵(GaN)單晶自支撐襯底片
寬禁帶半導(dǎo)體:氮化鎵(GaN)單晶自支撐襯底片
產(chǎn)品價(jià)格:¥\u9762\u8bae
上架日期:2023-11-27 21:25:21
產(chǎn)地:福建廈門
發(fā)貨地:福建廈門
供應(yīng)數(shù)量:不限
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詳細(xì)說明
    產(chǎn)品參數(shù)
    品牌中芯晶研
    批號(hào)最新
    封裝單片包裝
    包裝盒裝
    晶體結(jié)構(gòu)纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)
    帶隙3.4eV
    有效面積>90
    總厚度變化≤15um
    彎曲度≤20um
    拋光正面:外延級(jí)拋光;背面:精磨
    數(shù)量10
    可售賣地區(qū)全國
    可售賣地全國
    型號(hào)N型,半絕緣型

    氮化鎵(GaN)是二十世紀(jì)九十年代以來常用于發(fā)光二極管的二元III / V族直接帶隙半導(dǎo)體。該化合物是一種非常堅(jiān)硬的材料,具有纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)。其3.4 eV的寬帶隙為光電,高功率和高頻器件的應(yīng)用提供了特殊的性能??晒浠餁庀嗤庋樱℉VPE)技術(shù)生長導(dǎo)電型與半絕緣型氮化鎵單晶襯底晶片,晶片參數(shù)大致如下:
    1. 氮化鎵晶片規(guī)格參數(shù)



    2. 氮化鎵襯底的應(yīng)用場(chǎng)景
    1)GaN襯底可制備發(fā)光二極管(LED)與紫外激光二極管(LD);
    2)它對(duì)電離輻射的敏感性很低(與其他III族氮化物一樣),使其成為衛(wèi)星太陽能電池陣列的合適材料。
    3)由于設(shè)備在輻射環(huán)境中表現(xiàn)出穩(wěn)定性,因此太空應(yīng)用也可能受益。
    4)由于GaN晶體管可以在更高的溫度下工作,并且工作電壓比砷化鎵(GaAs)晶體管高得多,因此它們可以在微波頻率下制造理想的功率放大器。

    更多GaN單晶襯底產(chǎn)品信息或疑問請(qǐng)郵件咨詢:vp@honestgroup.cn






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