.jpg "單面或雙面拋光N型、P型砷化銦(InAs）半導(dǎo)體晶片")
| 產(chǎn)品參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | 中芯晶研 | ||
| 批號(hào) | 最新 | ||
| 封裝 | 單片包裝 | ||
| 包裝 | 盒裝 | ||
| 數(shù)量 | 10 | ||
| 晶向 | （111）、（110） | ||
| 直徑 | 2、3、4英寸 | ||
| 應(yīng)用 | 半導(dǎo)體器件 | ||
| 可售賣(mài)地區(qū) | 全國(guó) | ||
| 可售賣(mài)地 | 全國(guó) | ||
| 型號(hào) | N型、P型 | ||
砷化銦（InAs）是一種由銦和砷組成的直接躍遷半導(dǎo)體，類(lèi)似于砷化鎵，其禁帶寬度為0.45eV（300K）。其外觀為灰色立方晶體，熔點(diǎn)為942°C，晶格常數(shù)為0.6058nm，砷化銦晶體結(jié)構(gòu)為閃鋅礦結(jié)構(gòu)。砷化銦以其高電子遷移率和窄能帶隙而眾所周知，被廣泛用作太赫茲輻射源。
可供N型和P型半導(dǎo)體砷化銦晶片，規(guī)格參數(shù)如下：
1. 砷化銦單晶片規(guī)格
.jpg)
2. InAs晶片應(yīng)用
InAs單晶具有高電子遷移率，是制造霍爾器件的理想材料。此外，InAs晶片的發(fā)射波長(zhǎng)為3.34μm，在InAs襯底上可以生長(zhǎng)晶格匹配的InGaAsSb、InAsPSb和InAsSb多外延材料，以制造2～4μm波段的光纖通信激光器和探測(cè)器。
更多產(chǎn)品信息或疑問(wèn)請(qǐng)郵件咨詢(xún)：vp@honestgroup.cn
.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
.jpg)
