.jpg "N型、P型、半絕緣型磷化銦（InP）化合物半導(dǎo)體襯底片")
| 產(chǎn)品參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | 中芯晶研 | ||
| 批號(hào) | 最新 | ||
| 封裝 | 單片包裝 | ||
| 包裝 | 盒裝 | ||
| 材料 | 磷化銦（InP） | ||
| 拋光 | 單面或雙面 | ||
| 總厚度變化 | <10um | ||
| 彎曲度 | <10um | ||
| 翹曲度 | <12um | ||
| 數(shù)量 | 10 | ||
| 可售賣地 | 全國(guó) | ||
| 型號(hào) | N型、P型、半絕緣 | ||
磷化銦（InP）是由銦和磷組成的二元半導(dǎo)體。它具有閃鋅礦型晶體結(jié)構(gòu)，與GaAs和大多數(shù)III-V半導(dǎo)體相同。磷化銦可以通過(guò)白磷和碘化銦在400℃下的反應(yīng)制備，也可以通過(guò)在高溫和高壓下直接組合純化的元素，或通過(guò)三烷基銦化合物和膦的混合物的熱分解來(lái)制備?？商峁?”, 3”, 4”磷化銦晶片，具體參數(shù)以2寸的為例：
1. 2英寸磷化銦晶片規(guī)格參數(shù)
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2. 磷化銦晶片用途
磷化銦用于高功率和高頻電子設(shè)備，因?yàn)樗鄬?duì)于更常見(jiàn)的半導(dǎo)體硅和砷化鎵具有優(yōu)異的電子速度。它與銦鎵砷一起用于制造破紀(jì)錄的假晶異質(zhì)結(jié)雙極晶體管，其可以在604GHz下工作。它還具有直接帶隙，使其可用于激光二極管等光電器件。磷化銦作為制造光通信行業(yè)光子集成電路的主要技術(shù)材料，可以實(shí)現(xiàn)波分復(fù)用應(yīng)用。磷化銦還用作外延基于銦鎵砷的光電器件的襯底。
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