| 產品參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | 中芯晶研 | ||
| 批號 | 最新 | ||
| 封裝 | 單片包裝 | ||
| 包裝 | 盒裝 | ||
| 數(shù)量 | 10 | ||
| 直徑 | 2、3、4英寸 | ||
| 晶向 | （100） | ||
| 拋光 | 單面、雙面 | ||
| 使用 | 開盒即用 | ||
| 可售賣地 | 全國 | ||
| 型號 | N型、P型 | ||
銻化鎵（GaSb）半導體在 III-V族化合物材料中具有較小的帶隙，在室溫下其能帶隙為 0.70 eV (1.77 μm)，在 4K 下為 0.81 eV (1.53 μm)，適用于工作在紅外區(qū)域的光電器件和波長范圍為 1-5 μm 的電子器件。可提供銻化鎵晶片如下：
1. 銻化鎵單晶片
2.?銻化鎵材料特性
2.1 GaSb 化學性質
2.2 GaSb 電氣性能
2.3 GaSb 熱學、機械和光學性能
3. 銻化鎵晶片應用
GaSb晶片可用于紅外探測器、紅外LED、激光器和晶體管以及熱光電系統(tǒng)。
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