產(chǎn)品參數(shù) | |||
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品牌 | 中芯晶研 | ||
批號 | 最新 | ||
封裝 | 單片包裝 | ||
包裝 | 盒裝 | ||
材料 | 磷化銦(InP) | ||
拋光 | 單面或雙面 | ||
總厚度變化 | <10um | ||
彎曲度 | <10um | ||
翹曲度 | <12um | ||
數(shù)量 | 10 | ||
可售賣地 | 全國 | ||
型號 | N型、P型、半絕緣 |
磷化銦(InP)是由銦和磷組成的二元半導(dǎo)體。它具有閃鋅礦型晶體結(jié)構(gòu),與GaAs和大多數(shù)III-V半導(dǎo)體相同。磷化銦可以通過白磷和碘化銦在400℃下的反應(yīng)制備,也可以通過在高溫和高壓下直接組合純化的元素,或通過三烷基銦化合物和膦的混合物的熱分解來制備??商峁?”, 3”, 4”磷化銦晶片,具體參數(shù)以2寸的為例:
1. 2英寸磷化銦晶片規(guī)格參數(shù)
2. 磷化銦晶片用途
磷化銦用于高功率和高頻電子設(shè)備,因?yàn)樗鄬τ诟R姷陌雽?dǎo)體硅和砷化鎵具有優(yōu)異的電子速度。它與銦鎵砷一起用于制造破紀(jì)錄的假晶異質(zhì)結(jié)雙極晶體管,其可以在604GHz下工作。它還具有直接帶隙,使其可用于激光二極管等光電器件。磷化銦作為制造光通信行業(yè)光子集成電路的主要技術(shù)材料,可以實(shí)現(xiàn)波分復(fù)用應(yīng)用。磷化銦還用作外延基于銦鎵砷的光電器件的襯底。
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