新聞:大連超純氣體微焊彎頭進口品質
冶金電氣設備主要有以下幾點特性：抗污染性。因為冶金領域需運用數(shù)量較多的鋼鐵，因此在冶煉環(huán)節(jié)里面會形成非常多的粉塵，其間含有較多的導電性粉塵，其便代表此領域的電氣設施需具備一定的抗污染性?？垢蓴_與抗振性。電氣設備是一種電子設備，然而只要是電氣設施便需具備相應的抗干擾與抗振性，因此冶金領域的電氣設施同樣需要具備此特性。從冶金工業(yè)層面而言，現(xiàn)場需運用較大規(guī)模的電爐與軋鋼系統(tǒng)，此設施在傳動與供電環(huán)節(jié)便會產生較多的對控制系統(tǒng)于設施造成影響的諧波，因此其需要具備一定的抗干擾與抗振性。
VCR接頭工作原理及安裝
1、安裝步驟
安裝前要確保TUBE管連接端的表面沒有缺陷（無凹陷、凸起或刮痕等），端面經切割和平口成90度，并且去除了管內外毛刺。
VCR接頭安裝步驟：
（1）需要連接的VCR組件如圖所示。
（2）分別將外螺紋螺母（Male Nut）和內螺紋螺母（Female Nut）套在接頭（Gland）上，然后分別同需要連接的TUBE管自動焊接
（3）安裝金屬墊片：如果是帶爪墊片，將墊片卡在Gland上（注意不要劃傷Gland的密封面）；如果是無爪墊片，將墊片放進Female Nut內。
（4）用手指擰緊內、外螺母（如圖）。
（5）用記號筆在內、外螺母的六角頭上劃線做記號（如圖6）。
（6）用一個扳手固定外螺紋螺母，另一個扳手向內擰緊內螺紋螺母1/4圈（即90度，如圖7，詳見說明1）。
說明1：安裝VCR接頭時，先用手指擰緊，然后用扳手到底要擰多少圈才算到位呢？
擰1/4圈，這樣比較，否則容易有泄漏隱患。因此建議施工時還是擰 1/4 圈。
2、安裝后檢查
RVCR 接頭如果沒有擰到位，就有可能產生泄漏（有可能當時不漏，但會成為運行后的隱患）?，F(xiàn)場管理人員可以通過如下兩種方法進行檢查.
（1）檢查VCR接頭上的標記，看是否擰了1/4圈；
（2）通過內螺紋螺母上的泄漏測試孔（Test Port）進行測試。
方法（1）簡單易行，隨時可以檢查。但前提是工人施工時必須做好標記，否則沒法檢查。方法（2）雖然很可靠，但需要專門的儀器和設備，而且要更多的人力、物力，因此要根據項目的具體情況決定是否采用。
通過內螺紋螺母上的泄漏測試孔還可以檢查是否安裝了墊片。
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CSP(ChipScalePACkage)：芯片級封裝，該方式相比BGA同等空間下可以將存儲容量提升三倍，是由日本三菱公司提出來的。DIP(DualIn-linePACkage)：雙列直插式封裝，插裝型封裝之一，指采用雙列直插形式封裝的集成電路芯片，體積比較大。MCM(MultiChipModel)：多芯片模塊封裝，可根據基板材料分為MCM-L，MCM-C和MCM-D三大類。QFP(QuadFlatPackage)：四側引腳扁平封裝，表面貼裝型封裝之一，引腳通常在100以上，適合高頻應用，基材方面有陶瓷、金屬和塑料三種。
3、安裝注意事項
（1）一定要用記號筆做記號。一來可以確定是否擰到位，二來便于管理人員檢查。
（2）內螺紋螺母不要擰過頭。如果擰過頭，可能會損壞螺紋形成泄漏隱患。
（3）擰緊VCR接頭時，切勿旋轉外螺紋螺母（或本體），而應固定外螺紋螺母（或本體），旋轉內螺紋螺母。扳手一定要向內擰，可以避免因接頭或扳手突然松動，而打到了工人自己或周圍的設備、管道。
（4）一定要用手指擰緊后，才能用扳手擰；切勿直接用扳手擰緊，否則會損壞螺紋。
（5）使用一頭是螺紋連接的VCR接頭（如 Male to Male NPT、Male toFemale PT Connector）時要注意螺紋的類型（或標準），是NPT（60度圓錐管螺紋，美標產品常用）、PT（55度圓錐管螺紋，國內常用，日本也用得較多），還是其他類型。
（6）不要在管路有壓力的情況下安裝和緊固VCR接頭。
（7）不要混用不同材質或不同品牌的VCR接頭組件（本體、接頭、螺母、墊片等）。
（8）必須保證VCR接頭表面清潔（內包裝塑料袋只有在安裝時才能拆開）；安裝過程要避免劃傷表面（特別是密封面），要隨時將敞開的接頭封起來（可以用自帶的塑料帽或無塵膠帶，參見圖8）。
警告：密封面污染或劃傷會造成泄漏隱患
（9）重新安裝VCR接頭時，必須更換新墊片。
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LED日光燈電源發(fā)熱到一定程度會導致燒壞，關于這個問題，也見到過有人在行業(yè)論壇發(fā)過貼討論過。本文將從芯片發(fā)熱、功率管發(fā)熱、工作頻率降頻、電感或者變壓器的選擇、LED電流大小等方面討論LED日光燈電源發(fā)熱燒壞MOS管技術。芯片發(fā)熱本次內容主要針對內置電源調制器的高壓驅動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當然會引起芯片的發(fā)熱。驅動芯片的電流來自于驅動功率MOS管的消耗，簡單的計算公式為I=cvf（考慮充電的電阻效益，實際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導通時的gate電壓，所以為了降低芯片的功耗，必須想辦法降低v和f.如果v和f不能改變，那么請想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。
