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新聞:茂名巴工業(yè)污水行業(yè)脫水離心機(jī)廠家

要解決這個(gè)問題有二種方法──一是采用低電阻的銅當(dāng)導(dǎo)線材料；從前的半導(dǎo)體制程采用鋁，銅的電阻比鋁還低三倍。二是選用Low-KDielectric(低介電質(zhì)絕緣)作為介電層之材料。在制程上，電容與電阻決定了技術(shù)。當(dāng)時(shí)的IBM發(fā)表了銅制程與Low-Nvidia執(zhí)行長兼總裁黃仁勛說：「現(xiàn)在的聯(lián)電在端制程并未，策略上專注于12吋晶圓的40以下納米、尤其28納米，和8吋晶圓成熟制程。除了電腦和手機(jī)外，如通訊和車用電子芯片，幾乎都采用成熟制程以控制良率、及提供完善的IC給予客戶。
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接下來的幾年，三星的制程突然研發(fā)快速進(jìn)步，從48、32、28納米的間隔時(shí)間急遽縮短，且三星的電晶體制程與臺積電的差異快速減少。合理來說，三星的技術(shù)源自于IBM，其電晶體應(yīng)是圓盤U狀，而非臺積電所獨(dú)有的棱形結(jié)構(gòu)特征，但到了14納米制程，在結(jié)構(gòu)上幾乎已經(jīng)與臺積電無異，據(jù)臺積電委托外部專家所制作的對比分析報(bào)告指出，若單從結(jié)構(gòu)上來看，已經(jīng)無法分辨兩種晶圓是來自于臺積電或是三星所制造，幾乎可以斷定是擅長FinFET技術(shù)的梁孟松將營業(yè)秘密泄露給了三星。