產(chǎn)品介紹
超結(jié)MOSFET通過優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)設計，采用先進的工藝制造技術，進一步提高了產(chǎn)品性能。其具有更快的開關速度，更低的導通損耗，極低的柵極電荷，從而降低了器件的功率損耗，提高系統(tǒng)效率。
特點優(yōu)勢
超結(jié)系列產(chǎn)品具有更優(yōu)的雪崩耐量和ESD能力，提高了器件應用中的可靠性，同時優(yōu)化了器件的開關特性， 使其在系統(tǒng)應用中具有更好的EMI表現(xiàn)，為系統(tǒng)設計提供更大的余量。
應用領域
通信電源，充電樁，儲能。
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產(chǎn)品列表
| Part No. | Package | Vds_ max (V) | Rds(on)(mΩ)_25°C V | Vth_ typ.(V) | Vgs_ max(V ) | Qg_ Vgs=1 0V (nC) | Qgs (nC) | Qgd (nC) | IDS_ Max(A ) | Status | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Vg=10V | |||||||||||
| Typ | Max | ||||||||||
| SDN70N760J2A | TO220-3 | 700 | 660 | 760 | 3 | ±20 | 9.5 | 1.5 | 4.5 | 7 | Sample available |
| SDN65N2K4J2O | SOP-8 | 650 | 2100 | 2400 | 3 | ±20 | 4.4 | 0.4 | 3.0 | 0.9 | Sample available |
| SDN65N1K9J2A | TO220-3 | 650 | 1550 | 1900 | 3 | ±20 | 5.2 | 0.6 | 3.3 | 2.4 | Sample available |
| SDN65N1K2J2H | SOT223-3 | 650 | 1050 | 1200 | 3 | ±20 | 6.5 | 0.9 | 3.5 | 1.4 | Sample available |
| SDN65N1K2J2A | TO220-3 | 650 | 1050 | 1200 | 3 | ±20 | 6.5 | 0.9 | 3.5 | 1.4 | Sample available |
| SDN65N380P-AA | TO220F-3 | 650 | 260 | 380 | 3 | ±20 | 19.0 | 3.3 | 7.0 | 12.5 | Sample available |
| SDN65N280J2D | TO252-3 | 650 | 230 | 280 | 3 | ±20 | 23.0 | 4.0 | 7.6 | 11.8 | Sample available |
| SDN65N250J2P | TO220F-3 | 650 | 210 | 250 | 3 | ±20 | 24.0 | 4.5 | 7.0 | 11.5 | Sample available |
| SDN65N250J2D | TO252-3 | 650 | 210 | 250 | 3 | ±20 | 24.0 | 4.5 | 7.0 | 15.4 | Sample available |
| SDN65N250J2S | DFN8*8-4 | 650 | 210 | 250 | 3 | ±20 | 23.0 | 4.0 | 8.5 | 11.5 | Sample available |
| SDN60N2K0J2A | TO220-3 | 600 | 1740 | 2000 | 3 | ±20 | 3.9 | 0.4 | 3.0 | 3 | Sample available |
| SDN60N2K0J2O | SOP-8 | 600 | 1740 | 2000 | 3 | ±20 | 3.9 | 0.4 | 3.0 | 3 | Sample available |
| SDN50N1K8J2H | SOT223-3 | 500 | 1500 | 1800 | 3 | ±20 | 5.4 | 0.5 | 4.0 | 2.8 | Sample available |
