1、 每個功率單元都是由低壓絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)構(gòu)成的三相輸入，單相輸出的低壓PWM電壓型逆變器。
2、每個功率單元輸出電壓為1、0、-1三種狀態(tài)電平，每相5個單元疊加，可產(chǎn)生11種不同的電平等級，分別為5、4、3、2、1和0。 為一相合成的正波輸出電壓波形。
TSX3705028DR1
施耐德
TSX3708056DR1
施耐德
TSX3710001
施耐德
TSX3710028AR1
施耐德
TSX3710028DR1
施耐德
TSX3710101
施耐德
TSX3710128DR1
施耐德
TSX3710128DT1
施耐德
TSX3710128DTK1
施耐德
TSX3710164DTK1
施耐德
TSX3721001
施耐德
TSX3721101
施耐德
TSX3722001
施耐德
TSX3722101
施耐德
TSXACZ03
施耐德
TSXAEZ414
施耐德
TSXAEZ801
施耐德
TSXAEZ802
施耐德
TSXAMZ600
施耐德
TSXASZ200
施耐德
TSXASZ401
施耐德
TSXBATM01
施耐德
TSXBLZH01
施耐德
TSXBLZL01
施耐德
TSXCAPH15
施耐德
TSXCAPS15
施耐德
TSXCAPS9
施耐德
TSXCCPH15
施耐德
TSXCCPS15
施耐德
TSXCCPS15050
施耐德
TSXCCPS15100
施耐德
TSXCDP053
施耐德
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3、用這種多重化技術(shù)構(gòu)成的高壓變頻器，也稱為單元串聯(lián)多電平PWM電壓型變頻器，采用功率單元串聯(lián)，而不是用的器件串聯(lián)來實現(xiàn)高壓輸出，所以不存在器件均壓的問題。
每個功率單元承受全部的輸出電流，但僅承受1/5的輸出相電壓和1/15的輸出功率。
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可控硅
可控硅使用在充電電路和旁通回路上，均起"開關(guān)"作用。使用的可控硅電壓等級有:1400V、1800V;
電解電容
其作用是對整流橋整流后的直流進行濾波。
使用的電壓等級有:400V。
使用的容量有3300uF、6800uF、10000uF。
微18931176429
微13073155584
電話0311-89839062
