目前比較成熟的III族氮化物多采用藍(lán)寶石材料作為襯底，由于藍(lán)寶石襯底的絕緣性，所以普通的GaN基LED采用正裝結(jié)構(gòu)。正裝結(jié)構(gòu)示意圖如所示，有源區(qū)發(fā)出的光經(jīng)由P型GaN區(qū)和透明電極出射。該結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，制作工藝相對(duì)成熟。然而正裝結(jié)構(gòu)LED有兩個(gè)明顯的缺點(diǎn)，首先正裝結(jié)構(gòu)LEDp、n電極在LED的同一側(cè)，電流須橫向流過(guò)n-GaN層，導(dǎo)致電流擁擠，局部發(fā)熱量高，限制了驅(qū)動(dòng)電流；其次，由于藍(lán)寶石襯底的導(dǎo)熱性差，嚴(yán)重的阻礙了熱量的散失。
