搭載反并聯(lián)二極管的IGBT-深圳思大-STAR思大為您提供完整的解決方案
英飛凌全新的第三代高速系列
全新的600V和1200V第三代高速IGBT系列經(jīng)過優(yōu)化，適用于硬開關(guān)和軟開關(guān)拓?fù)洹Ｔ撓盗袠淞⒘诵袠I(yè)開關(guān)損耗新標(biāo)桿，可應(yīng)用于開關(guān)頻率超過20kHz的拓?fù)洹?br />
極短的拖尾電流和低關(guān)斷損耗（比最接近的競爭產(chǎn)品低25%）是這種新產(chǎn)品系列的主要特性。利用該系列的器件設(shè)計(jì)產(chǎn)品，最高可使能效提高15%。
該系列不僅具備很低的開關(guān)損耗，還擁有極低的通態(tài)損耗。這主要?dú)w功于英飛凌全球知名的TRENCHSTOP TM 技術(shù)——本身具備極低的集電極-發(fā)射極飽和電壓。
特性：
• 最低的開關(guān)損耗使開關(guān)頻率達(dá)到20kHz以上的應(yīng)用具備較高的能效
• 軟開關(guān)波形帶來出色的抗EMI性能
• 低集電極-發(fā)射極飽和電壓帶來低通態(tài)損耗
• 適用于目標(biāo)應(yīng)用的優(yōu)化二極管具備低二極管損耗和快速恢復(fù)時(shí)間
• 符合RoHS
• 正集電極-發(fā)射極溫度系數(shù)意味著熱損失不是問題和輕松實(shí)現(xiàn)并聯(lián)
• 5微秒的短路額定值
TRENCHSTOP™ IGBT：逆導(dǎo)軟開關(guān)系列
基于IGBT和反并二極管位于單芯片的新技術(shù)，新一代IGBT能有效優(yōu)化解決方案的成本
特性：
• 具備最低的集電極-發(fā)射極飽和電壓和Vf確保了高效能和高品質(zhì)要求
• 軟電流關(guān)斷優(yōu)勢
• 最低的開關(guān)損耗
優(yōu)勢：
• 降低總體系統(tǒng)成本
• 最低的功耗
• 低散熱要求
• 降低EMI濾波要求
• 最佳的性價(jià)比
全面的產(chǎn)品覆蓋：600V、900V、1000V、1200V和1600V。
目標(biāo)應(yīng)用：包括電磁爐、電飯煲、變頻式微波爐和所有其他軟開關(guān)應(yīng)用 STAR思大為您提供完整的解決方案。
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