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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
日本advance電弧等離子體氣相沉積源 APS-1
日本advance電弧等離子體氣相沉積源 APS-1
產(chǎn)品價(jià)格：￥1
上架日期：2021-03-05 16:02:14
產(chǎn)地：本地
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供應(yīng)數(shù)量：不限
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詳細(xì)說明

    電弧等離子體氣相沉積源 APS-1

    同時(shí)蒸鍍不同的“目標(biāo)”。
    通過在現(xiàn)有的APD系列電弧等離子體納米粒子形成裝置和現(xiàn)有的真空室中增加氣相沉積源，可以同時(shí)氣相沉積不同的“靶”，從而生產(chǎn)具有新特性的材料。

    應(yīng)用

    • 利用多個(gè)氣相沉積源生產(chǎn)化合物
    • 在您的真空室中增加

    特點(diǎn)

    • 納米粒子的尺寸比以往的濕法更加均勻，因此可以生成高活性的催化劑
    • 納米顆粒的粒徑可從1.5nm到6nm不等
    • 通過改變氣氛，可以很容易地生成氧化物和氮化物
    • 可沿任意方向安裝ICF070（VG50）凸緣
    • 無需水冷設(shè)備，易于維護(hù)

    參數(shù)

    目標(biāo)尺寸 φ10mm×長(zhǎng)17mm
    基板尺寸 2英寸（50mm）
    成膜速度 0.01 nm/s ～ 0.3 nm/s *1
    膜厚分布 對(duì)于Fe:< ±10%（φ20mm區(qū)域）*1
    成膜材料 一般導(dǎo)電材料*2

    ＊1 目標(biāo)到電路板距離80mm時(shí)
    ＊2 靶比電阻0.01歐姆或更小

    動(dòng)作圖像

    實(shí)用程序

    設(shè)備配置圖

    • 電源:單相AC200V±10%2kVA
    • 尺寸
    • ? 電容器盒:W110×D320×H200（mm）
    • ? 真空部:φ34×L200（mm）
    • ? 電源:W 200×D 360×H 200（mm）
    • ? 控制器:W 240×D 400×H 200（mm）

    ※電源和控制器安裝在機(jī)架中

    參考圖像

    • 碳粉攜帶Pt納米粒子的TEM圖像
      在碳的凹凸不平的表面上均勻地進(jìn)相沉積。
    • 聚集納米顆粒
      隨著鏡頭數(shù)的增加，聚集開始。
    • 薄膜（連續(xù)晶格圖像）
      納米顆粒被層壓以形成納米薄膜。

    擴(kuò)展示例

    實(shí)施例1 增設(shè)至真空室例2本公司裝置增設(shè)到APD-1P

    表1目標(biāo)使用結(jié)果表

      1A 2A 3A 4A 5A 6A 7A 8 1B 2B 3B 4B 5B 6B 7B 0
    1 H   He
    2 Li Be   B C N O F Ne
    3 Na Mg   Al Si P S Cl Ar
    4 K Ca Sc Ti V Cr Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se Br Kr
    5 Rb Sr Y Zr Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb Te I Xe
    6 Cs Ba Lanthanoid Hf Ta W Re Os Ir Pt Au Hg TI Pb Bi Po At Rn
    7 Fr Ra Actinoid                              

      已實(shí)現(xiàn)   使用條款有限

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