德力西DZ47-63配合的過欠壓脫扣器世紀(jì)90年代，人們開始探索該方法在機(jī)械系統(tǒng)中的應(yīng)用，并認(rèn)為MEMS系統(tǒng)最有可能采用結(jié)德力西DZ47-63配合的過欠壓脫扣器
構(gòu)德力西DZ47-63配合的過欠壓脫扣器化設(shè)計(jì)方法〔’，〕.而到了1995年，美國國家自然科學(xué)基金委員會在加州理工大學(xué)(Caltech )
組織召開的“Structure德力西DZ47-63配合的過欠壓脫扣器d Design Method for MEMS"研討會上正式提出了MEMS的結(jié)構(gòu)化設(shè)
計(jì)方法〔‘.〕。這德力西DZ47-63配合的過欠壓脫扣器種結(jié)構(gòu)化設(shè)計(jì)方法借鑒了微電子設(shè)計(jì)(EDA)的成功經(jīng)驗(yàn)，強(qiáng)調(diào)類似于EDA的
分層次自頂向下(T德力西DZ47-63配合的過欠壓脫扣器op-Down)設(shè)計(jì)，如圖1-2所示.這種自頂向下的結(jié)構(gòu)化設(shè)計(jì)方法從系統(tǒng)
的整體功能人手進(jìn)行設(shè)計(jì)德力西DZ47-63配合的過欠壓脫扣器，強(qiáng)調(diào)MEMS的系統(tǒng)級設(shè)計(jì)，然后逐級進(jìn)行設(shè)計(jì)綜合，直至生成
MEMS加工用的版圖.該方法被認(rèn)為有望顯著提高M(jìn)EMS的設(shè)計(jì)效率，甚至可以產(chǎn)生類似
于微電子設(shè)計(jì)那樣的設(shè)計(jì)與加工分離.當(dāng)前，國際上幾乎所有的MEMS集成設(shè)計(jì)工具均基于
此德力西DZ47-63配合的過欠壓脫扣器方法進(jìn)行開發(fā)。
但德力西DZ47-63配合的過欠壓脫扣器MEMS技術(shù)的發(fā)展速度很快，特別是進(jìn)人21世紀(jì)后MEMS技術(shù)更是得到了迅猛的發(fā)
展。德力西DZ47-63配合的過欠壓脫扣器MEMS技術(shù)的高速發(fā)展也給MEMS結(jié)構(gòu)化設(shè)計(jì)方法及設(shè)計(jì)工具帶來了很大的沖擊和
挑戰(zhàn)。
德力西DZ47-63配合的過欠壓脫扣器 首先在設(shè)計(jì)流程上，結(jié)構(gòu)化設(shè)計(jì)方法強(qiáng)調(diào)一種自頂向下的設(shè)計(jì)流程.這固然符合結(jié)構(gòu)化德力西DZ47-63配合的過欠壓脫扣器
設(shè)計(jì)的思想德力西DZ47-63配合的過欠壓脫扣器，并且這種設(shè)計(jì)流程已經(jīng)在微電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域取得了巨大的成功，但MEMS畢竟不
同于微電子，再復(fù)雜的微電子電路也可用晶體管、電阻、電容、電感等幾種簡單的元器件來表
示，而對于功能、原理、形式、工藝都復(fù)雜多變的MEMS器件來說，其很難像微電子那樣用幾種
簡單的組件來表征任意復(fù)雜的MEMS結(jié)構(gòu)。因此，完全照搬微電子的設(shè)計(jì)方案，并用這一種
自頂向下的流程來統(tǒng)一所有MEMS器件的設(shè)計(jì)，顯然并不科學(xué)。
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