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產(chǎn)品簡介
ENGIS化合物材料研磨機InP GaAs GaN
ENGIS化合物材料研磨機InP GaAs GaN
產(chǎn)品價格:¥1
上架日期:2017-08-01 12:29:13
產(chǎn)地:日本
發(fā)貨地:上海
供應數(shù)量:不限
最少起訂:11
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詳細說明
    品牌:engis型號: 

    可用于2寸3寸4寸InP GaAs GaN 

    所屬系列:半導體加工設(shè)備-減薄拋光設(shè)備-研磨機 

    操作界面人性化,人機交流非常簡易 

    使用大粒徑研磨液將Wafer快速減薄 

    可以精確控制Wafer目標厚度,將Wafer減薄至接近目標厚度時,借助厚度控制夾具Wafer將懸空丌再被研磨,可以雙頭、單片、多片加工,適合研發(fā)、量產(chǎn),可兼容多尺寸Wafer 

    設(shè)備的設(shè)計理念及特征 

    搭載開槽裝置的超高精密研磨設(shè)備EJW-400IFN 是采用高剛性機體和獨自開發(fā)的水冷式主 

    軸,經(jīng)常保持一定的定盤溫度,并且可以在超低震動狀態(tài)下高精度旋轉(zhuǎn)。另外,由于采用 

    高精度的開槽裝置,設(shè)備可以經(jīng)常維持穩(wěn)定高精度的定盤平坦度進行加工。 

    主要規(guī)格: 

    1-1研磨設(shè)備 

    設(shè)備型號EJW-400IFN 

    研磨盤直徑外徑φ380mm;內(nèi)徑φ140mm 

    定盤轉(zhuǎn)速10~350rpm 可調(diào)(軟起動/停機) 

    主電機200V 1.5Kw 3相 

    加壓方式自重加壓 

    工件固定方式通過使用陶瓷修正輪用滾軸手臂固定 

    主軸部分高剛性水冷主軸 

    尺寸940mm×1600mm×1460mmH*含防塵蓋高度 

    重量1000Kg(NET)
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