專利簡(jiǎn)介:
一種電學(xué)器件，其特征在于，包括：絕緣基底，該絕緣基底具有相對(duì)的第一表面及第二表面；磁性摻雜拓?fù)浣^緣體量子阱薄膜，該磁性摻雜拓?fù)浣^緣體量子阱薄膜設(shè)置在該第一表面，該磁性摻雜拓?fù)浣^緣體量子阱薄膜的材料由化學(xué)式Cry(BixSb1?x)2?yTe3表示，其中0.05<x<0.3，0<y<0.3，且1:2<x:y<2:1，x與y的值選擇為使鉻在該磁性摻雜拓?fù)浣^緣體量子阱薄膜中引入的空穴型載流子與鉍在該磁性摻雜拓?fù)浣^緣體量子阱薄膜中引入的電子型載流子基本相互抵消，該磁性摻雜拓?fù)浣^緣體量子阱薄膜的載流子濃度為1×1013cm?2以下，該磁性摻雜拓?fù)浣^緣體量子阱薄膜的厚度為3QL至5QL。
發(fā)明專利---未交費(fèi)--未下證。
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