SMART200西門子plc數(shù)字量輸入/輸出模塊技術(shù)規(guī)范
型號 EM DR16 EM DT16 EM DR32 EM DT32
訂貨號（MLFB）： 6ES7 288-2DR16-0AA0， 6ES7 288-2DT16-0AA0， 6ES7 288-2DR32-0AA0， 6ES7 288-2DT32-0AA0西門子plc輸入輸出模塊
尺寸 W x H x D（mm） 45 x 100 x 81 70 x 100 x 81
重量 201.9 g 179.7 g 295.4 g 257.3 g
功耗 5.5 W 2.5 W 10 W 4.5 W
電流消耗（SM 總線） 145 mA 145 mA 180 mA 185 mA
電流消耗（24 V DC） 所用的每點(diǎn)輸入 4 mA
所用的每個(gè)繼電器線圈 11 mA － 所用的每個(gè)繼電器線圈 11 mA －
西門子SMART200plc數(shù)字輸入
輸入點(diǎn)數(shù) 8 16
類型 漏型/源型（IEC 1 漏型）
額定電壓 4 mA 時(shí) 24 V DC，額定值
允許的連續(xù)電壓 最大 30 V DC
浪涌電壓 35 V DC，持續(xù) 0.5 s
邏輯 1 信號（最?。?15 V DC
邏輯 0 信號（最大） 5 V DC
隔離（現(xiàn)場側(cè)與邏輯側(cè)） 500 V AC，持續(xù) 1 min
隔離組 2
濾波時(shí)間 0.2，0.4，0.8，1.6，3.2，6.4 和 12.8 ms（可選擇，4 個(gè)為一組）
同時(shí)接通的輸入數(shù) 8 16
電纜長度 500m（屏蔽），150m（非屏蔽）
SMART200西門子plc數(shù)字輸出
輸出點(diǎn)數(shù) 8 16
類型 繼電器，干觸點(diǎn) 固態(tài)-MOSFET 繼電器，干觸點(diǎn) 固態(tài) - MOSFET
電壓范圍 5 ~ 30 V DC 或 5 ~ 250 V AC 20.4 ~ 28.8 V DC 5 ~ 30 V DC 或 5 ~ 250 V AC 20.4 ~ 28.8 V DC
最大電流時(shí)的邏輯 1 信號 － 最小 20 V DC － 最小 20 V DC
具有 10 KΩ 負(fù)載時(shí)的邏輯 0 信號 － 最大 0.1 V DC － 最大 0.1 V DC
每點(diǎn)的額定電流（最大） 2 A 0.75 A 2 A 0.75 A
燈負(fù)載 30 W DC/200 W AC 5 W 30 W DC/200 W AC 5 W
通態(tài)觸電電阻 新設(shè)備最大 0.2 Ω 最大 0.6 Ω 新設(shè)備最大 0.2 Ω 最大 0.6 Ω
每點(diǎn)的漏電流 － 最大 10 μA － 最大 10 μA
浪涌電流 觸點(diǎn)閉合時(shí) 7 A 8 A，最大持續(xù) 100 ms 觸點(diǎn)閉合時(shí) 7 A 8 A，最大持續(xù) 100 ms
過載保護(hù) 無
隔離（現(xiàn)場側(cè)與邏輯側(cè)） 1500 V AC，持續(xù) 1 min
（線圈與觸點(diǎn)）
無（線圈與邏輯側(cè)）
500 V AC，持續(xù) 1 min 1500 V AC，持續(xù) 1 min
（線圈與觸點(diǎn)）
無（線圈與邏輯側(cè)）
500 V AC，持續(xù) 1 min
隔離電阻 新設(shè)備最小為 100 MΩ － 新設(shè)備最小為 100 MΩ －
斷開觸電間的絕緣 750 V AC，持續(xù) 1 min － 750 V AC，持續(xù) 1 min －
隔離組 2 2 4 3
每個(gè)公共端的電流 8 A 3 A 8 A 6 A
電感鉗位電壓 － - 48 V － - 48 V
開關(guān)延遲 斷開到接通最長 50 μs
接通到斷開最長 200 μs
最長 10 ms 斷開到接通最長 50 μs
接通到斷開最長 200 μs
最長 10 ms
機(jī)械壽命（無負(fù)載） 10,000,000 個(gè)斷開/閉合周期 － 10,000,000 個(gè)斷開/閉合周期 －
額定負(fù)載下的觸電壽命 100,000 個(gè)斷開/閉合周期 － 100,000 個(gè)斷開/閉合周期 －
STOP 模式下的輸出狀態(tài) 上一個(gè)值或替換值（默認(rèn)值為 0）
同時(shí)接通的輸出數(shù) 8 16
電纜長度 500m（屏蔽），150m（非屏蔽）
