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產(chǎn)品簡介

6ES7952-1AL00-0AA0西門子RAM2 MB

產(chǎn)品價格：￥123

上架日期：2018-08-30 15:51:28

產(chǎn)地：德國

發(fā)貨地：上海

供應(yīng)數(shù)量：不限

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詳細說明

6ES7952-1AL00-0AA0西門子RAM2 MB

上海斌勤電氣技術(shù)有限公司(西門子合作伙伴）
聯(lián)系人：康奎先生(業(yè)務(wù)經(jīng)理）發(fā)布(聯(lián)系我有優(yōu)惠福利哦）
地址：上海市松江區(qū)三新北路1800弄（松江商務(wù)電子園區(qū)）24號樓.
我公司主要優(yōu)勢產(chǎn)品：
ET200、S7-200CN、S7-200、Smart200、S7-300、S7-400、S7-1200、S7-1500.電源6EP .7KM 測量儀表..DP電纜/DP接頭，網(wǎng)線、網(wǎng)線接頭、6FC、6SN、6XV.S120、V10、V20、V60、V80、V90,G110、G120、6RA、6GK.6GT .低壓系列軟啟動器.伺服數(shù)控備件、NCU、MM420.MM440.系列變頻器.LOGO系列。

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6AG1952-1AL00-4AA0

SIPLUS S7-400 RAM Card 2MB 用于中等負載基于 6ES7952-1AL00-0AA0

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6AG1952-1AM00-7AA0

SIPLUS S7-400 MC RAM 4 MByte -25...+70°C 帶防腐蝕涂層基于 6ES7952-1AM00-0AA0 。 RAM 存儲卡針對 S7-400，長結(jié)構(gòu)形式， 4 MByte

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6AG1952-1AP00-7AA0

SIPLUS S7-400 MC RAM 8 MByte -25...+70°C 帶防腐蝕涂層基于 6ES7952-1AP00-0AA0 。 RAM 存儲卡針對 S7-400，長結(jié)構(gòu)形式， 8 MByte

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6AG1952-1AS00-7AA0

SIPLUS S7-400 MC RAM 16 MByte -25...+70°C 帶防腐蝕涂層基于 6ES7952-1AS00-0AA0 。 RAM 存儲卡針對 S7-400，長結(jié)構(gòu)形式， 16 MByte

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6AG1952-1AY00-7AA0

SIPLUS S7-400 MC RAM 64 MByte -25...+70°C 帶防腐蝕涂層基于 6ES7952-1AY00-0AA0 。 RAM 存儲卡針對 S7-400，長結(jié)構(gòu)形式， 64 MByte

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6AG1952-1KT00-4AA0

SIPLUS S7-400 Flash-Eprom Card 用于中等負載帶防腐蝕涂層基于 6ES7952-1KT00-0AA0

6ES79520AF000AA0 RAM，64 KB
6ES79521AH000AA0 RAM，256 KB
6ES79521AK000AA0 RAM，1 MB
6ES79521AL000AA0 RAM，2 MB
6ES79521AM000AA0 RAM，4 MB
6ES79521AP000AA0 RAM，8 MB
6ES79521AS000AA0 RAM，16 MB
6ES79521AY000AA0 RAM，64 MB
6ES79520KF000AA0 FLASH-EPROM，64 KB
6ES79520KH000AA0 FLASH-EPROM，256 KB
6ES79521KK000AA0 FLASH-EPROM，1 MB
6ES79521KL000AA0 FLASH-EPROM，2 MB
6ES79521KM000AA0 FLASH-EPROM，4 MB
6ES79521KP000AA0 FLASH-EPROM，8 MB
6ES79521KS000AA0 FLASH-EPROM，16 MB
6ES79521KT000AA0 FLASH-EPROM，32 MB
6ES79521KY000AA0 FLASH-EPROM，64 MB
6ES79710BA00 備份電池， 3.6 V/2.3 AH 適用于所有S7-400電源模塊
6ES79601AA060XA0 近距離同步模塊（最遠距離10米）
6ES79601AB060XA0 遠距離同步模塊（最遠距離10公里）
6ES79601AA045AA0 同步光纖，1米
6ES79601AA045BA0 同步光纖，2米
6ES79601AA045KA0 同步光纖，10米
6ES71971LA120XA0 Y-LINK，用于連接單通路DP從站到S7-400H
6ES74211BL010AA0 SM421數(shù)字量輸入模塊，光隔離，32DI，24V DC
6ES74211EL000AA0 SM421數(shù)字量輸入模塊， 32DI，120V DC/AC
6ES74211FH200AA0 SM421數(shù)字量輸入模塊，光隔離，16DI，120/230V UC， IEC1131-2 TYPE 2
6ES74217BH010AB0 SM421數(shù)字量輸入模塊，電隔離，16DI，24V DC，帶0.05 ms輸入延遲，報警，診斷功能
6ES74217DH000AB0 SM421數(shù)字量輸入模塊，光隔離，16DI，24-60V C，報警，診斷功能
6ES74221BH110AA0 SM422數(shù)字量輸出模塊，光隔離，16DO，24V DC，2A
6ES74221BL000AA0 SM422數(shù)字量輸出模塊，光隔離，32DO，24V DC，0.5A
6ES74221FH000AA0 SM422數(shù)字量輸出模塊，光隔離，16DO，120/230V AC，2A
6ES74221HH000AA0 SM422數(shù)字量輸出模塊，光隔離，16DO，5~230V AC，5A 繼電器
6ES74227BL000AB0 SM422數(shù)字量輸出模塊，光隔離，32DO，24V DC，0.5A，帶有15 ms輸出延遲，診斷
6ES74310HH000AB0 SM 431模擬量輸入模塊，非隔離，16 AI，13 BITS，+/-10V， +/-20MA， 4 ~20MA； 20 ms 模塊更新
6ES74311KF000AB0 SM 431模擬量輸入模塊，光隔離，8 AI，13 BIT， U/I/RESIST
6ES74311KF100AB0 SM 431模擬量輸入模塊，光隔離，8 AI，14 BIT， U/I/RESIST./THERMOEL/PT101
6ES74311KF200AB0 SM 431模擬量輸入模塊，光隔離，8 AI，14 BIT， U/I/RESIST.0.416 ms 掃描計時
6ES74317KF000AB0 SM 431模擬量輸入模塊， 8 AI，16 BIT， U/I/THERMOEL.,，光隔離
6ES74317KF100AB0 "SM 431模擬量輸入模塊， 8 AI，16 BIT， RESIST./PT100/NI100，光隔離，
診斷，報警，20 ms 模塊更新 "
6ES74317QH000AB0 SM 431模擬量輸入模塊，光隔離，16 AI，16 BIT， U/I/RESIST./THERMOEL./PT100，報警，診斷
6ES74321HF000AB0 SM 432模擬量輸出模塊，光隔離，8 AO，13 BIT，U/I

6ES7952-1AL00-0AA0西門子RAM2 MB

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