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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
AP50N10 場(chǎng)效應(yīng)MOS管 TO252 100V 50A N道溝MOS管
AP50N10 場(chǎng)效應(yīng)MOS管 TO252 100V 50A N道溝MOS管
產(chǎn)品價(jià)格：￥0.01
上架日期：2023-06-05 15:22:58
產(chǎn)地：深圳
發(fā)貨地：深圳
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詳細(xì)說(shuō)明
    Super Low Gate Charge
    Green Device Available
    Excellent Cdv/dt effect decline
    Advanced high cell density Trench
    technology
    Product Summary
    BVDSS
    RDSON
    ID
    100V
    18 mΩ
    50A
    Debion
    TO252 Pin Configuration
    The AP50N10 is the highest perbance trench N-
    ch MOSFETs with extreme high cell density,
    which provide excellent RDSON and gate charge
    for most of the synchronous buck converter
    applications .
    The AP50N10 meet the RoHS and Green Product
    requirement, 100% EAS guaranteed with full

    function reliability approved.

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