一、物料概述
ESN4485是P溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，以低柵極電荷提供出色的RDS（ON）。該裝置適用于直流-直流轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品ESN4485不含鉛。
二、功能特征
1、-40V，RDS（ON）=13 mΩ（Typ），VGS=-10V
RDS（ON）=17 mΩ（Typ），VGS=-4.5V
2、快速切換
3、低RDS的高密度電池設(shè)計(jì)（開）
4、材料：無(wú)鹵素
5、可靠且堅(jiān)固
6、雪崩額定值
7、低泄漏電流
三、應(yīng)用
1、PWM應(yīng)用
2、負(fù)載開關(guān)
3、便攜式/臺(tái)式電腦的電源管理
4、DC/DC轉(zhuǎn)換