D mode HEMT硅基氮化鎵外延片生產(chǎn)商 4英寸
蘇州恒邁瑞材料科技作為氮化鎵外延片廠家，可提供4英寸-8英寸硅基氮化鎵外延片定制，用于電子電力HEMT及RF射頻高電子遷移率晶體管。GaN on Si氮化鎵外延片可分為D MODE結構E MODE結構和RF結構。除此之外我司還提供碳化硅基氮化鎵外延片及藍寶石基氮化鎵外延片，LED氮化鎵外延片定制生產(chǎn)，詳細需求請聯(lián)系我司。
第三代半導體材料GaN由于具有眾多優(yōu)異的物理特性，非常適合制備高溫、高頻、大功率電子器件，具有很好的應用前景。由于缺乏優(yōu)質的GaN同質襯底，而硅基氮化鎵襯底具備尺寸大、高性價比等優(yōu)點，使得其成為適合商用GaN功率器件生長的理想襯底。目前，采用Si硅上生長GaN氮化鎵材料這一技術路線制備功率電子器件，已經(jīng)成為業(yè)界的共識。蘇州恒邁瑞材料科技供應的2英寸到8英寸的硅基氮化鎵外延片能夠滿足650V功率器件的要求。
