蘇州恒邁瑞材料科技主要生產(chǎn)供應4英寸、6英寸4H-N型導電碳化硅襯底片和4H半絕緣碳化硅襯底片，所生產(chǎn)的碳化硅襯底片產(chǎn)品可廣泛應用于以新能源汽車、高速軌道交通、超高壓智能電網(wǎng)為代表的功率電子應用領域和以5G通信、航空航天通信、相控陣雷達等為代表的高頻射頻應用領域。
以碳化硅為襯底的氮化鎵射頻器件以其良好導熱性和大功率輸出的優(yōu)勢，成為5G基站功率放大器的主流選擇。5G具有大容量、低時延、低功耗、高可靠性等特點，要求射頻器件擁有更高的線性和更高的效率。相比砷化鎵和硅基LDMOS射頻器件，以碳化硅為襯底的氮化鎵射頻器件同時具有碳化硅良好的導熱性能和氮化鎵在高頻段下大功率射頻輸出的優(yōu)勢，能夠提供高頻電信網(wǎng)絡所需要的功率和效能，成為5G基站功率放大器的主流選擇。
