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產(chǎn)品簡介
NP1216DR-G南麟12V P溝道增強(qiáng)型MOSFET
NP1216DR-G南麟12V P溝道增強(qiáng)型MOSFET
產(chǎn)品價(jià)格:¥0.11
上架日期:2022-07-29 16:36:20
產(chǎn)地:上海
發(fā)貨地:1
供應(yīng)數(shù)量:不限
最少起訂:1片
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詳細(xì)說明

    NP1216DR-G南麟12V P溝道增強(qiáng)型MOSFET

    NP1216DR-G南麟12V P溝道增強(qiáng)型MOSFET

    NP1216DR-G南麟12V P溝道增強(qiáng)型MOSFET


    描述

    NP1216DR采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)

    提供出色的RDS(ON)

    一般特征

    、低柵極電荷和

    柵極電壓低至1.8V時(shí)運(yùn)行。這

    該裝置適合用作負(fù)載開關(guān)或PWM

    應(yīng)用。? VDS=-12V,ID

    R=-16A

    DS(ON)(典型值)=18米? @VGS

    R=-2.5V

    DS(開)(典型值)=13m? @VGS

    ? 高功率和電流處理能力

    =-4.5V

    ? 獲得無鉛產(chǎn)品

    ? 表面貼裝封裝

    應(yīng)用

    ? PWM應(yīng)用

    ? 負(fù)荷開關(guān)

    包裹

    ? DFN2*2-6L-B

    NP1216DR-G南麟12V P溝道增強(qiáng)型MOSFET


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    推薦供應(yīng)
    0571-87774297  
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