NCE609使用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS(ON)和低柵極充電?；パa(bǔ)的MOSFETs可用于形成一個(gè)電平移動(dòng)的高側(cè)開關(guān)，并用于許多其他應(yīng)用程序。
一般特征
● N通道
VDS=40V，ID=21A
RDS（ON）<19米? @ VGS=10V
RDS（ON）<29米? @ VGS=4.5V
● P通道
VDS=-40V，ID=-14A
RDS（ON）<35米? @ VGS=-10V
RDS（ON）<45米? @ VGS=-4.5V
● 高功率和電流處理能力
● 獲得無鉛產(chǎn)品
● 表面貼裝封裝
