介質(zhì)的性能
-C0G電容器具有高溫度補償特性，適合作旁路電容和耦合電容
-X7R電容器是溫度穩(wěn)定型陶瓷電容器，適合要求不高的工業(yè)應用
-Z5U電容器特點是小尺寸和低成本，尤其適合應用于去耦電路
-Y5V電容器溫度特性最差，但容量大，可取代低容鋁電解電容
MLCC常用的有C0G(NP0)、X7R、Z5U、Y5V等不同的介質(zhì)規(guī)格，不同的規(guī)格有不同的特點和用途。C0G、X7R、Z5U和Y5V的主要區(qū)別是它們的填充介質(zhì)不同。在相同的體積下由于填充介質(zhì)不同所組成的電容器的容量就不同，隨之帶來的電容器的介質(zhì)損耗、容量穩(wěn)定性等也就不同，所以在使用電容器時應根據(jù)電容器在電路中作用不同來選用不同的電容器。
電容的作用編輯
1）旁路
旁路電容是為本地器件提供能量的儲能器件，它能使穩(wěn)壓器的輸出均勻化，降低負載需求。 就像小型可充電電池一樣，旁路電容能夠被充電，并向器件進行放電。為盡量減少阻抗，旁路電容要盡量靠近負載器件的供電電源管腳和地管腳。 這能夠很好地防止輸入值過大而導致的地電位抬高和噪聲。地電位是地連接處在通過大電流毛刺時的電壓降。
2）去耦
去耦，又稱解耦。 從電路來說， 總是可以區(qū)分為驅(qū)動的源和被驅(qū)動的負載。如果負載電容比較大， 驅(qū)動電路要把電容充電、放電， 才能完成信號的跳變，在上升沿比較陡峭的時候，電流比較大， 這樣驅(qū)動的電流就會吸收很大的電源電流，由于電路中的電感，電阻（特別是芯片管腳上的電感，會產(chǎn)生反彈），這種電流相對于正常情況來說實際上就是一種噪聲，會影響前級的正常工作，這就是所謂的“耦合”。
去耦電容就是起到一個“電池”的作用，滿足驅(qū)動電路電流的變化，避免相互間的耦合干擾。
將旁路電容和去耦電容結合起來將更容易理解。旁路電容實際也是去耦合的，只是旁路電容一般是指高頻旁路，也就是給高頻的開關噪聲提高一條低阻抗泄防途徑。高頻旁路電容一般比較小，根據(jù)諧振頻率一般取0.1μF、0.01μF 等；而去耦合電容的容量一般較大，可能是10μF 或者更大，依據(jù)電路中分布參數(shù)、以及驅(qū)動電流的變化大小來確定。旁路是把輸入信號中的干擾作為濾除對象，而去耦是把輸出信號的干擾作為濾除對象，防止干擾信號返回電源。這應該是他們的本質(zhì)區(qū)別。
3）濾波
從理論上（即假設電容為純電容）說，電容越大，阻抗越小，通過的頻率也越高。但實際上超過1μF 的電容大多為電解電容，有很大的電感成份，所以頻率高后反而阻抗會增大。有時會看到有一個電容量較大電解電容并聯(lián)了一個小電容，這時大電容通低頻，小電容通高頻。電容的作用就是通高阻低，通高頻阻低頻。電容越大低頻越容易通過。具體用在濾波中,大電容（1000μF）濾低頻，小電容（20pF）濾高頻。曾有網(wǎng)友形象地將濾波電容比作“水塘”。由于電容的兩端電壓不會突變，由此可知，信號頻率越高則衰減越大，可很形象的說電容像個水塘，不會因幾滴水的加入或蒸發(fā)而引起水量的變化。它把電壓的變動轉化為電流的變化，頻率越高，峰值電流就越大，從而緩沖了電壓。濾波就是充電，放電的過程。
4）儲能
儲能型電容器通過整流器收集電荷，并將存儲的能量通過變換器引線傳送至電源的輸出端。電壓額定值為40～450VDC、電容值在220～150 000μF 之間的鋁電解電容器（如EPCOS 公司的B43504 或B43505）是較為常用的。根據(jù)不同的電源要求，器件有時會采用串聯(lián)、并聯(lián)或其組合的形式，對于功率級超過10KW 的電源，通常采用體積較大的罐形螺旋端子電容器。
內(nèi)部結構編輯
它的外表是陶瓷做的，但不止只有一種，它還分玻璃電容、油紙電容、電解電容等。
通常所說的陶瓷貼片電容是指MLCC,即多層陶瓷片式電容(Multilayer Ceramic Capacitors)。
常規(guī)貼片電容按材料分為COG(NPO),X7R,Y5V,其引腳封裝有0201,0402,0603.0805.1206,1210,1812,1825,2225.
多層陶瓷電容(MLCC)是由平行的陶瓷材料和電極材料層疊而成。
高壓貼片電容是指能經(jīng)受較高電壓的貼片電容，主要應用于電源濾波，電源降壓，倍壓，吸收浪涌以保護IC，整流，振蕩等作用。主要作用就是充電放電，能用于智能家居，電源模塊，LED照明，電動工具，汽車電子等，在電子領域起著大的作用。
貼片高壓電容利用陶瓷介質(zhì)層的薄層化和多層疊層技術，電容值有了較大的擴大，并且還有極高的準確性，穩(wěn)定性，可靠性，使用壽命長，ESR低，頻率特性良好。高壓貼片電容的電介質(zhì)一般采用NPO,X7R等。容量范圍為：零點幾PF到幾UF之間。工作溫度范圍為-55℃～125℃，電壓一般100V/200V/250V/500V/630V/1KV/2KV/3KV等等
主要作用就是充電放電，能用于智能家居，電源模塊，LED照明，電動工具，汽車電子等，在電子領域起著大的作用。
它的樣貌和電壓較低的貼片電容沒有多大的不同，通常有0603、0805、1206、1210、1808、1812、2220、2225、2211、3035等封裝。
貼片鉭電容是使用金屬鉭的氧化物為介質(zhì)，金屬鉭作為陽極的電容，根據(jù)陽極結構的不同可分為箔式和鉭燒粉結式兩種。在陽極為鉭燒粉結構的鉭電容中，根據(jù)電解質(zhì)的不同又分為固體和非固體電解質(zhì)電容。然而，固體鉭電容使用量是大的，這種電容本身幾乎沒有電感，但電容量又很小。
貼片鉭電容是有很多優(yōu)點的，例如：體積小，使用溫度寬，耐高溫，使用溫度范圍寬，使用壽命長，容量誤差小，高頻性能好，ESR小，濾高頻紋波性能極好等等。同時耐電壓不夠高，電流小，價格高的缺點也很明顯。所以，客戶朋友在使用時要參考鉭電容的使用手冊，防止鉭電容被擊穿燒焦甚至是爆炸的情況發(fā)生，但是鉭電容一般情況下，只要正常使用是不會出現(xiàn)安全事故的。
貼片鉭電容有正負極之分，有一橫杠的一邊為正極，另一端為負極，貼片鉭電容正負極不能反接，反接會不起作用或失效。
貼片鉭電容的品牌之中AVX和基美比較出名。常使用在手機，便攜式打印機等設備上。在內(nèi)部空間狹小的產(chǎn)品之中，貼片鉭電容常會有它的用武之地。
貼片電容是基本所有電子產(chǎn)品電路中的必備電子元件，是國家電子信息行業(yè)的發(fā)展核心元件之一。貼片電容的命名所包含的參數(shù)有貼片電容的尺寸、做這種貼片電容用的材質(zhì)、要求達到的精度、要求的電壓、要求的容量、端頭的要求以及包裝的要求。
貼片電容壽
貼片電容的封裝有兩種表示方法，一種是英制表示法，一種是公制表示法。美國的廠家用英制的，日本廠家基本上都用公制的，而國產(chǎn)的廠家有用英制的也有用公制的。一個公司所用到的電容封裝，只能統(tǒng)一用一種制式來表示，不能這個工程師用英制那個工程師用公制。否則會搞混亂。極端的情況下，還會弄錯。比如說，英制的有0603的封裝，公制的也有0603的封裝，但是兩者實際上是完全不同的尺寸的。英制的0603封裝對應公制的是1608，而公制的0603封裝對應英制的卻是0201！其實英制封裝的數(shù)字大約乘以2.5（前2位后2位分開乘）就成為了公制封裝規(guī)格?，F(xiàn)在流行的是用英制的封裝表達法。比如我們常說的0402封裝就是英制的表達法，其對應的公制封裝為1005（1.0*0.5mm）。
為了使貼片電容的使用壽命得到保證;我們在選擇構成材料時，都得非常謹慎小心；生產(chǎn)過程中，嚴格操作，嚴格檢查，嚴格驗證。
貼片電容在確認使用及安裝環(huán)境時，要按照產(chǎn)品樣本設計說明書上所規(guī)定的額定性能范圍使用內(nèi)使用，避免在高溫（溫度超過最高使用溫度）、過流(電流超過額定紋波電流)、過壓（電壓超過額定電壓）等情況中使用。
貼片電容根據(jù)不同品牌不同溫度壽命也不一樣，所以在選擇貼片電容的時候盡量選知名度較高的電容廠家，
貼片電容采用堅固的全鉭結構進行制造，可承受高應力和危險環(huán)境，非常適合應用于武器系統(tǒng)、雷達、無線收發(fā)機和電源等要求苛刻、高應力的國防和航天系統(tǒng)中的低壓濾波和儲能系統(tǒng)。貼片電容的容值為180μF~10,000μF，在120Hz和+25℃標準條件下的容差為±20%，也提供±10%的容差。
具有每單位體積容值最高的獨特陰極系統(tǒng)，代表了在鉭電容器技術上的最新突破。貼片電容兼具鉭的內(nèi)在可靠性和固鉭的容值穩(wěn)定性，沒有電路阻抗的限制，大幅提高了容值等級。工作溫度范圍為-55℃~+85℃，電壓降額情況下的溫度可達+125℃，在120Hz下的最大ESR低至0.25Ω。
高可靠性貼片電容器的性能，擴大其在高壓固鉭貼片電容器領域的領先地位。不同于商用級電容器，這些器件具有所需的可靠性和在高可靠性應用中確保性能所必需的浪涌篩選選項，同時還能保持最大的容值電壓乘積，該數(shù)值是衡量電容器能夠儲存多少能量的優(yōu)值系數(shù)，可幫助設計者為其應用選擇最佳的電容器.
很多人都不知道貼片電容到底有多少壽命，使用了多少壽命那么今天我司就為大家介紹下電容如何推斷出壽命首先通過電壓加速與溫度加速系數(shù)可推算出電容器的使用壽命，步驟如下：
可將產(chǎn)品使用時的外部環(huán)境溫度及施加電壓作為參數(shù)進行公式化。 一般來說，阿列紐斯法則被廣泛用于加速公式中，而我們運用以下公式便可簡單地進行推算。
介質(zhì)的性能
-C0G電容器具有高溫度補償特性，適合作旁路電容和耦合電容
-X7R電容器是溫度穩(wěn)定型陶瓷電容器，適合要求不高的工業(yè)應用
-Z5U電容器特點是小尺寸和低成本，尤其適合應用于去耦電路
-Y5V電容器溫度特性最差，但容量大，可取代低容鋁電解電容
MLCC常用的有C0G(NP0)、X7R、Z5U、Y5V等不同的介質(zhì)規(guī)格，不同的規(guī)格有不同的特點和用途。C0G、X7R、Z5U和Y5V的主要區(qū)別是它們的填充介質(zhì)不同。在相同的體積下由于填充介質(zhì)不同所組成的電容器的容量就不同，隨之帶來的電容器的介質(zhì)損耗、容量穩(wěn)定性等也就不同，所以在使用電容器時應根據(jù)電容器在電路中作用不同來選用不同的電容器。
電容的作用編輯
1）旁路
旁路電容是為本地器件提供能量的儲能器件，它能使穩(wěn)壓器的輸出均勻化，降低負載需求。 就像小型可充電電池一樣，旁路電容能夠被充電，并向器件進行放電。為盡量減少阻抗，旁路電容要盡量靠近負載器件的供電電源管腳和地管腳。 這能夠很好地防止輸入值過大而導致的地電位抬高和噪聲。地電位是地連接處在通過大電流毛刺時的電壓降。
2）去耦
去耦，又稱解耦。 從電路來說， 總是可以區(qū)分為驅(qū)動的源和被驅(qū)動的負載。如果負載電容比較大， 驅(qū)動電路要把電容充電、放電， 才能完成信號的跳變，在上升沿比較陡峭的時候，電流比較大， 這樣驅(qū)動的電流就會吸收很大的電源電流，由于電路中的電感，電阻（特別是芯片管腳上的電感，會產(chǎn)生反彈），這種電流相對于正常情況來說實際上就是一種噪聲，會影響前級的正常工作，這就是所謂的“耦合”。
去耦電容就是起到一個“電池”的作用，滿足驅(qū)動電路電流的變化，避免相互間的耦合干擾。
將旁路電容和去耦電容結合起來將更容易理解。旁路電容實際也是去耦合的，只是旁路電容一般是指高頻旁路，也就是給高頻的開關噪聲提高一條低阻抗泄防途徑。高頻旁路電容一般比較小，根據(jù)諧振頻率一般取0.1μF、0.01μF 等；而去耦合電容的容量一般較大，可能是10μF 或者更大，依據(jù)電路中分布參數(shù)、以及驅(qū)動電流的變化大小來確定。旁路是把輸入信號中的干擾作為濾除對象，而去耦是把輸出信號的干擾作為濾除對象，防止干擾信號返回電源。這應該是他們的本質(zhì)區(qū)別。
3）濾波
從理論上（即假設電容為純電容）說，電容越大，阻抗越小，通過的頻率也越高。但實際上超過1μF 的電容大多為電解電容，有很大的電感成份，所以頻率高后反而阻抗會增大。有時會看到有一個電容量較大電解電容并聯(lián)了一個小電容，這時大電容通低頻，小電容通高頻。電容的作用就是通高阻低，通高頻阻低頻。電容越大低頻越容易通過。具體用在濾波中,大電容（1000μF）濾低頻，小電容（20pF）濾高頻。曾有網(wǎng)友形象地將濾波電容比作“水塘”。由于電容的兩端電壓不會突變，由此可知，信號頻率越高則衰減越大，可很形象的說電容像個水塘，不會因幾滴水的加入或蒸發(fā)而引起水量的變化。它把電壓的變動轉化為電流的變化，頻率越高，峰值電流就越大，從而緩沖了電壓。濾波就是充電，放電的過程。
4）儲能
儲能型電容器通過整流器收集電荷，并將存儲的能量通過變換器引線傳送至電源的輸出端。電壓額定值為40～450VDC、電容值在220～150 000μF 之間的鋁電解電容器（如EPCOS 公司的B43504 或B43505）是較為常用的。根據(jù)不同的電源要求，器件有時會采用串聯(lián)、并聯(lián)或其組合的形式，對于功率級超過10KW 的電源，通常采用體積較大的罐形螺旋端子電容器。
內(nèi)部結構編輯
它的外表是陶瓷做的，但不止只有一種，它還分玻璃電容、油紙電容、電解電容等。
通常所說的陶瓷貼片電容是指MLCC,即多層陶瓷片式電容(Multilayer Ceramic Capacitors)。
常規(guī)貼片電容按材料分為COG(NPO),X7R,Y5V,其引腳封裝有0201,0402,0603.0805.1206,1210,1812,1825,2225.
多層陶瓷電容(MLCC)是由平行的陶瓷材料和電極材料層疊而成。
高壓貼片電容是指能經(jīng)受較高電壓的貼片電容，主要應用于電源濾波，電源降壓，倍壓，吸收浪涌以保護IC，整流，振蕩等作用。主要作用就是充電放電，能用于智能家居，電源模塊，LED照明，電動工具，汽車電子等，在電子領域起著大的作用。
貼片高壓電容利用陶瓷介質(zhì)層的薄層化和多層疊層技術，電容值有了較大的擴大，并且還有極高的準確性，穩(wěn)定性，可靠性，使用壽命長，ESR低，頻率特性良好。高壓貼片電容的電介質(zhì)一般采用NPO,X7R等。容量范圍為：零點幾PF到幾UF之間。工作溫度范圍為-55℃～125℃，電壓一般100V/200V/250V/500V/630V/1KV/2KV/3KV等等
主要作用就是充電放電，能用于智能家居，電源模塊，LED照明，電動工具，汽車電子等，在電子領域起著大的作用。
它的樣貌和電壓較低的貼片電容沒有多大的不同，通常有0603、0805、1206、1210、1808、1812、2220、2225、2211、3035等封裝。
貼片鉭電容是使用金屬鉭的氧化物為介質(zhì)，金屬鉭作為陽極的電容，根據(jù)陽極結構的不同可分為箔式和鉭燒粉結式兩種。在陽極為鉭燒粉結構的鉭電容中，根據(jù)電解質(zhì)的不同又分為固體和非固體電解質(zhì)電容。然而，固體鉭電容使用量是大的，這種電容本身幾乎沒有電感，但電容量又很小。
貼片鉭電容是有很多優(yōu)點的，例如：體積小，使用溫度寬，耐高溫，使用溫度范圍寬，使用壽命長，容量誤差小，高頻性能好，ESR小，濾高頻紋波性能極好等等。同時耐電壓不夠高，電流小，價格高的缺點也很明顯。所以，客戶朋友在使用時要參考鉭電容的使用手冊，防止鉭電容被擊穿燒焦甚至是爆炸的情況發(fā)生，但是鉭電容一般情況下，只要正常使用是不會出現(xiàn)安全事故的。
貼片鉭電容有正負極之分，有一橫杠的一邊為正極，另一端為負極，貼片鉭電容正負極不能反接，反接會不起作用或失效。
貼片鉭電容的品牌之中AVX和基美比較出名。常使用在手機，便攜式打印機等設備上。在內(nèi)部空間狹小的產(chǎn)品之中，貼片鉭電容常會有它的用武之地。
貼片電容是基本所有電子產(chǎn)品電路中的必備電子元件，是國家電子信息行業(yè)的發(fā)展核心元件之一。貼片電容的命名所包含的參數(shù)有貼片電容的尺寸、做這種貼片電容用的材質(zhì)、要求達到的精度、要求的電壓、要求的容量、端頭的要求以及包裝的要求。
貼片電容壽
貼片電容的封裝有兩種表示方法，一種是英制表示法，一種是公制表示法。美國的廠家用英制的，日本廠家基本上都用公制的，而國產(chǎn)的廠家有用英制的也有用公制的。一個公司所用到的電容封裝，只能統(tǒng)一用一種制式來表示，不能這個工程師用英制那個工程師用公制。否則會搞混亂。極端的情況下，還會弄錯。比如說，英制的有0603的封裝，公制的也有0603的封裝，但是兩者實際上是完全不同的尺寸的。英制的0603封裝對應公制的是1608，而公制的0603封裝對應英制的卻是0201！其實英制封裝的數(shù)字大約乘以2.5（前2位后2位分開乘）就成為了公制封裝規(guī)格?，F(xiàn)在流行的是用英制的封裝表達法。比如我們常說的0402封裝就是英制的表達法，其對應的公制封裝為1005（1.0*0.5mm）。
為了使貼片電容的使用壽命得到保證;我們在選擇構成材料時，都得非常謹慎小心；生產(chǎn)過程中，嚴格操作，嚴格檢查，嚴格驗證。
貼片電容在確認使用及安裝環(huán)境時，要按照產(chǎn)品樣本設計說明書上所規(guī)定的額定性能范圍使用內(nèi)使用，避免在高溫（溫度超過最高使用溫度）、過流(電流超過額定紋波電流)、過壓（電壓超過額定電壓）等情況中使用。
貼片電容根據(jù)不同品牌不同溫度壽命也不一樣，所以在選擇貼片電容的時候盡量選知名度較高的電容廠家，
貼片電容采用堅固的全鉭結構進行制造，可承受高應力和危險環(huán)境，非常適合應用于武器系統(tǒng)、雷達、無線收發(fā)機和電源等要求苛刻、高應力的國防和航天系統(tǒng)中的低壓濾波和儲能系統(tǒng)。貼片電容的容值為180μF~10,000μF，在120Hz和+25℃標準條件下的容差為±20%，也提供±10%的容差。
具有每單位體積容值最高的獨特陰極系統(tǒng)，代表了在鉭電容器技術上的最新突破。貼片電容兼具鉭的內(nèi)在可靠性和固鉭的容值穩(wěn)定性，沒有電路阻抗的限制，大幅提高了容值等級。工作溫度范圍為-55℃~+85℃，電壓降額情況下的溫度可達+125℃，在120Hz下的最大ESR低至0.25Ω。
高可靠性貼片電容器的性能，擴大其在高壓固鉭貼片電容器領域的領先地位。不同于商用級電容器，這些器件具有所需的可靠性和在高可靠性應用中確保性能所必需的浪涌篩選選項，同時還能保持最大的容值電壓乘積，該數(shù)值是衡量電容器能夠儲存多少能量的優(yōu)值系數(shù)，可幫助設計者為其應用選擇最佳的電容器.
很多人都不知道貼片電容到底有多少壽命，使用了多少壽命那么今天我司就為大家介紹下電容如何推斷出壽命首先通過電壓加速與溫度加速系數(shù)可推算出電容器的使用壽命，步驟如下：
可將產(chǎn)品使用時的外部環(huán)境溫度及施加電壓作為參數(shù)進行公式化。 一般來說，阿列紐斯法則被廣泛用于加速公式中，而我們運用以下公式便可簡單地進行推算。
