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 吸收電容在電路中起的作用類似于低通濾波器，可以吸收掉尖峰電壓。通常用在有絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)，消除由于母排的雜散電感引起的尖峰電壓，避免絕緣柵雙極型晶體管的損壞。
  吸收電容的結構特點：
  雙面金屬化膜內串結構、特別的內部設計和端面噴金技術，使電容具低感抗，多條引線設計，可承受更高紋波電流，高du/dv以及高過壓能力。用于各類IGBT緩沖線路突波吸收，各類高頻諧振線路。
  電容結構: 雙層金屬化膜，內部串聯(lián)結構
  封裝: 阻燃塑膠外殼，環(huán)氧樹脂封裝，符合(UL94V-0 )標準.
  尺寸: 適合于各種IGBT保護。
  吸收電容的作用：
  母線電感以及緩沖電路及其元件內部的雜散電感，對IGBT 電路尤其是大功率IGBT 電路，有極大的影響。因此，希望它愈小愈好。要減小這些電感，需從多方面入手。第一，直流母線要盡量地短;第二，緩沖電路要盡可能地貼近模塊;第三，選用 低電感的聚丙烯無極電容，與IGBT 相匹配的快速緩沖二極管， 以及無感泄放電阻;第四，其它有效措施。目前，緩沖電路的制作工藝也有多種方式：有用分立件連接的;有通過印制版連接的;更有用緩沖電容模塊直接安裝在 IGBT 模塊上的。顯然，最后一種方式因符合上述第二、第三種降感措施，因而緩沖效果最好，能最大限度地保護IGBT 安全運行。
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