超導體具有三個臨界參數(shù):臨界轉(zhuǎn)變溫度Tc、臨界磁場強度Hc、臨界電流密度Jc。當超導體同時處于三個臨界條件內(nèi)時,才顯示出超導性。
(1)臨界轉(zhuǎn)變溫度Tc:當溫度低于臨界轉(zhuǎn)變溫度Tc時,材料處于超導態(tài);超過臨界轉(zhuǎn)變溫度Tc,超導體由超導態(tài)恢復為正常狀態(tài)。
(2)臨界磁場強度Hc:當外界磁場強度超過臨界磁場強度Hc時,超導體由超導體恢復為正常狀態(tài)。臨界磁場強度Hc與溫度有關,關系式如下:
(3)臨界電流密度Jc:當通過超導體的電流密度超過臨界電流密度Jc時,超導體由超導體恢復為正常狀態(tài)。臨界電流密度Jc與溫度、磁場強度有關。
為闡明超導體的機理,科學家提出了多種理論,包括:1935年提出的,用于描述超導電流與弱磁場關系的London方程;1950~1953年提出的,用于完善London方程的Pippard理論;1950年提出的,用于描述超導電流與強磁場(接近臨界磁場強度)關系的GL(Ginzburg-Landau)理論;1957年提出的,從微觀機制上解釋第一類超導體的BCS(Bardeen-Cooper-Schrieffer)理論等。[4]
[5]
其中比較重要的理論有BCS理論、GL理論。
BCS理論
BCS理論是以近自由電子模型為基礎,以弱電子-
聲子相互作用為前提建立的理論。理論的提出者是巴?。↗.Bardeen)、庫珀(L.V.Cooper)、施里弗(J.R.Schrieffer)。
BCS理論認為,金屬中自旋和動量相反的電子可以配對形成庫珀對,庫珀對在晶格當中可以無損耗的運動,形成超導電流。對于庫珀對產(chǎn)生的原因,BCS理論做出了如下解釋:電子在晶格中移動時會吸引鄰近格點上的正電荷,導致格點的局部畸變,形成一個局域的高正電荷區(qū)。這個局域的高正電荷區(qū)會吸引自旋相反的電子,和原來的電子以一定的結(jié)合能相結(jié)合配對。在很低的溫度下,這個結(jié)合能可能高于晶格原子振動的能量,這樣,電子對將不會和晶格發(fā)生能量交換,沒有電阻,形成超導電流。
BCS理論很好地從微觀上解釋了第一類超導體存在的原因,理論的提出者巴丁、庫珀、施里弗因此獲得1972年諾貝爾物理學獎。但BCS理論無法解釋第二類超導體存在的原因,尤其是根據(jù)BCS理論得出的麥克米蘭極限溫度(超導體的臨界轉(zhuǎn)變溫度不能高于40K),早已被第二類超導體突破。
GL理論
GL理論是在朗道二級相變理論的基礎上提出的
唯象理論。理論的提出者是京茨堡(Ginzburg)、
朗道(Landau)。
GL理論的提出是基于以下考慮:當外界磁場強度接近超導體的臨近磁場強度時,超導體的電流不服從線性規(guī)律,且超導體的零點振動能不可忽略。
GL理論的最大貢獻在于預見了第二類超導體的存在。從GL理論出發(fā),可以引出表面能κ的概念。當超導體的表面能κ
時,為第一類超導體;當超導體的表面能κ
時,為第二類超導體。[4]
超導體的分類方法有以下幾種:
(1)根據(jù)材料對于磁場的響應:
第一類超導體和
第二類超導體。從宏觀物理性能上看,第一類超導體只存在單一的臨界磁場強度;第二類超導體有兩個臨界磁場強度值,在兩個臨界值之間,材料允許部分磁場穿透材料。從理論上看,如上文“理論解釋”中的GL理論所言,參數(shù)κ是劃分兩類超導體的標準。
在已發(fā)現(xiàn)的元素超導體中,第一類超導體占大多數(shù),只有釩、鈮、锝屬于屬于第二類超導體;但很多合金超導體和化合物超導體都屬于第二類超導體。[6]
(2)根據(jù)解釋理論:傳統(tǒng)超導體(可以用
BCS理論或其推論解釋)和非傳統(tǒng)超導體(不能用BCS理論解釋)。
(3)根據(jù)臨界溫度:
高溫超導體和
低溫超導體。高溫超導體通常指臨界溫度高于液氮溫度(大于77K)的超導體,低溫超導體通常指臨界溫度低于液氮溫度(小于77K)的超導體。
20世紀中前期
1911年,荷蘭科學家卡末林—昂內(nèi)斯用液氦冷卻汞,當溫度下降到4.2K(﹣268.95℃)時,汞的電阻完全消失,卡末林將這種現(xiàn)象稱為超導電性??┝忠虼双@得1913年諾貝爾獎。
1933年,
邁斯納和奧克森菲爾德兩位科學家發(fā)現(xiàn)超導體的完全抗磁性,后人稱之為“邁斯納效應”。
昂尼斯持久電流實驗
從1954年3月16日始,到1956年9月5日止,為了證實超導體電阻為零,科學家將一個鉛制的圓環(huán),放入溫度低于T
c=7.2K的空間,利用電磁感應使環(huán)內(nèi)激發(fā)起感應電流。在兩年半的時間內(nèi)的電流一直沒有衰減,這說明圓環(huán)內(nèi)的電能沒有損失,當溫度升到高于T
c時,圓環(huán)由超導狀態(tài)變正常態(tài),材料的電阻驟然增大,感應電流立刻消失,這就是著名的
昂尼斯持久電流實驗。
1962年,
劍橋大學研究生約瑟夫森在理論上預言,電子能通過兩塊超導體之間薄絕緣層,在不到一年的時間內(nèi),安德森和羅厄耳等人從實驗上證實了約瑟夫森的預言。這一重要發(fā)現(xiàn)為超導體中電子對運動提供了證據(jù),使對超導現(xiàn)象本質(zhì)的認識更加深入。約瑟夫森效應成為微弱電磁信號探測和其他電子學應用的基礎。
20世紀70年代
1973年,發(fā)現(xiàn)超導合金――鈮鍺合金,其臨界超導溫度為23.2K(﹣249.95℃),這一記錄保持了近13年。
1979年,在日本的試驗鐵路——宮崎線上,超導列車成功地進行了載人可行性試驗,時速達517千米。[7]
20世紀80年代
1980年,丹麥的Bechgaard等人合成出第一個有機超導體(TMTSF)
2PF
6。[8]
1986年,繆勒和柏諾茲發(fā)現(xiàn)一種成分為鋇、鑭、銅、氧的陶瓷性金屬氧化物LaBaCuO
4具有高溫超導性,臨界溫度可達35K(﹣240.15℃)。由于陶瓷性金屬氧化物通常是絕緣物質(zhì),因此這個發(fā)現(xiàn)的意義很大,繆勒和柏諾茲因此而榮獲了1987年度諾貝爾物理學獎。此后,高溫超導的研究迅速發(fā)展。[9]
1986年,美國
貝爾實驗室研制出臨界超導溫度達40K(﹣235.15℃)的超導材料,打破液氫的“溫度壁壘”(40K)。
1987年,美國華裔科學家、
休斯頓大學教授
朱經(jīng)武以及中國科學家
趙忠賢相繼研制出釔-鋇-銅-氧系材料,臨界超導溫度提高到90K(﹣185.15℃)以上,打破液氮的“溫度壁壘”(77K)。
1987年底,發(fā)現(xiàn)鉈-鋇-鈣-銅-氧系材料的臨界溫度達125K(﹣150.15℃)。從1986-1987年的短短一年多的時間里,臨界超導溫度提高了近100K。
1988年,日本日立制作所發(fā)現(xiàn),汞系超導材料的臨界溫度達135K,在高壓條件下,其臨界溫度將能達到164K。
20世紀90年代
1991年3月,日本住友電氣工業(yè)公司展示了世界上第一個
超導磁體。
1991年10月,日本原子能研究所和東芝公司共同研制成以鈮、錫化合物制作的核聚變堆用超導線圈。該線圈電流密度達到每平方毫米40安培,為過去的3倍多。
1992年,一個以巨型超導磁體為主的
超導超級對撞機特大型設備,于美國得克薩斯州建成并投入使用,耗資超過82億美元。
超導磁流體推進船
1992年1月27日,由日本船舶和海洋基金會建造的,第一艘采用超導磁流體推進器的輪船——“大和”1號在日本神戶下水試航。
1996年,歐洲電纜巨頭皮雷利電纜公司、美國超導體公司和舊金山的電力研究所共同制成第一條地下高溫超導輸電電纜,電纜長6000米,由纏繞鉍-鍶-鈣-銅-氧系超導材料的液氮空管制成。
1999年,德國普朗克研究所的Bernhard等人發(fā)現(xiàn),釕銅化合物RuSr
2GdCu
2O
8-δ同時具有超導性和鐵磁有序性,其超導臨界溫度為15~40K,鐵磁性轉(zhuǎn)變溫度為133~136K。[10]
由于該化合物同時具有超導性和鐵磁有序性,在計算機數(shù)據(jù)存儲上有較大應用潛力。
21世紀初
2004年1月29日,美國標準技術研究院和美國科羅拉多大學的科學家組成的聯(lián)合研究小組提出一種新的物質(zhì)形態(tài)——
費米子凝聚態(tài)(fermionic condensate),并預言它將幫助人類做出下一代超導體。
2006年,
日本東京工業(yè)大學細野秀雄(Hideo Hosono)教授合成以鐵為超導主體的化合物LaFeOP,開創(chuàng)了對鐵基超導體的研究。
2012年9月,德國
萊比錫大學發(fā)現(xiàn)石墨顆粒能在室溫下表現(xiàn)出超導性。
銅氧超導體
銅氧超導體是最早發(fā)現(xiàn)的高溫超導體,20世紀八十年代繆勒、柏諾茲合成的鋇-鑭-銅-氧系高溫超導體和朱經(jīng)武、趙忠賢合成的釔-鋇-銅-氧系高溫超導體均屬于此范疇。
釔-鋇-銅-氧超導體的結(jié)構(gòu)
銅氧超導體包括90K的稀土系,110K的鉍系,125K的鉈系,135K的汞系超導體。它們都含有銅和氧,因此稱為銅氧超導體。銅氧超導體具有相似的層狀結(jié)晶結(jié)構(gòu),其中銅氧層是超導層。
目前,對銅氧超導體的研究呈現(xiàn)以下趨勢:首先,銅氧超導體已經(jīng)較為成熟,如由鉈-鋇-鈣-銅-氧超導薄膜制成的裝置,已應用于移動電話的發(fā)射塔,以增加容量,減少斷線和外界干擾。[12]
其次,銅氧超導體的基礎研究處在瓶頸階段,轉(zhuǎn)變溫度一直以來不能突破164K。再次,對銅氧超導體的機理研究有所進展,如2002年,德國、法國和俄羅斯的科學家利用
中子散射技術,在單銅氧層Tl
2Ba
2CuO
6+δ中觀察到
磁共振,有助于對探明銅氧化物超導體的機理。[13]
鐵基超導體
自從2006年發(fā)現(xiàn)鐵基超導體以來,對鐵基超導體日趨深入,比較突出的成果有:2008年,日本科學家細野秀雄發(fā)現(xiàn)摻雜F的LaFeOP超導體具有26K的臨界溫度;2008年,中國科學家趙忠賢、陳仙輝、王楠林、聞?;?、方忠發(fā)現(xiàn)臨界溫度達43K的SmFeAs1-xFx超導體和臨界溫度達55K的ReFeAs1-xFx超導體,在鐵基超導體的領域首次突破40K的麥克米蘭極限溫度。
鐵基超導體之所以受到關注,原因有兩點:其一,F(xiàn)e離子是磁性離子,打破了磁性離子不利于超導的觀點,為探索新的超導體提供了一種思路;其二,類似于銅氧超導體,鐵基超導體也存在強的電子與自旋相互作用,對探明高溫超導機理有參考價值。[14]
硼化鎂超導體
2001年1月,日本
青山學院大學J.Akimitsu教授等人首次發(fā)現(xiàn)MgB
2具有超導電性,其臨界溫度約為39K。
雖然MgB2的臨界溫度較低,但與銅氧超導體、鐵基超導體相比,仍有很多優(yōu)勢,包括:結(jié)構(gòu)簡單、易于制備;原料來源廣泛、成本較低;易于加工。尤其是易于加工的特性,成為MgB2的重要優(yōu)勢。因為具有高臨界溫度的銅氧超導體本質(zhì)上屬于陶瓷材料,陶瓷材料硬度大,加工困難,成為制約銅氧超導體發(fā)展的一個因素,MgB2超導體可以彌補這一不足。
超導體的應用可分為三類:強電應用、弱電應用和抗磁性應用。強電應用即大電流應用,包括超導發(fā)電、輸電和儲能;弱電應用即電子學應用,包括
超導計算機、超導天線、超導微波器件等;抗磁性應用主要包括
磁懸浮列車和熱核聚變反應堆等。
強電應用
超導發(fā)電機:目前,超導發(fā)電機有兩種含義。一種含義是將普通發(fā)電機的銅繞組換成超導體繞組,以提高電流密度和磁場強度,具有發(fā)電容量大、體積小、重量輕、電抗小、效率高的優(yōu)勢。[15]
另一種含義是指超導
磁流體發(fā)電機,磁流體發(fā)電機具有效率高、發(fā)電容量大等優(yōu)點,但傳統(tǒng)磁體在發(fā)電過程中會產(chǎn)生很大的損耗,而超導磁體自身損耗小,可以彌補這一不足。
超導輸電電纜
超導輸電:由超導材料制作的超導電線和超導變壓器,可以把電力幾乎無損耗地輸送給用戶。據(jù)統(tǒng)計,用銅或鋁導線輸電,約有15%的電能損耗在輸電線路上,光是在中國,每年的電力損失即達1000多億度。若改為超導輸電,節(jié)省的電能相當于新建數(shù)十個大型發(fā)電廠。
弱電應用
超導計算機:高速計算機要求
集成電路芯片上的元件和連接線密集排列,但密集排列的電路在工作時會發(fā)生大量的熱,而散熱是超大規(guī)模集成電路面臨的難題。超導計算機中的超大規(guī)模集成電路,其元件間的互連線用接近零電阻和超微發(fā)熱的超導器件來制作,不存在散熱問題,同時計算機的運算速度大大提高。此外,科學家正研究用半導體和超導體來制造晶體管,甚至完全用超導體來制作晶體管。
抗磁性應用
磁懸浮列車
超導磁懸浮列車:利用超導材料的抗磁性,將超導材料放在一塊永久磁體的上方,由于磁體的磁力線不能穿過超導體,磁體和超導體之間會產(chǎn)生排斥力,使超導體懸浮在磁體上方。利用這種磁懸浮效應可以制作高速超導磁懸浮列車。
全超導托卡馬克核聚變實驗裝置
核聚變反應堆“磁封閉體”:核聚變反應時,內(nèi)部溫度高達1億~2億攝氏度,沒有任何常規(guī)材料可以包容這些物質(zhì)。而超導體產(chǎn)生的強磁場可以作為“磁封閉體”,將熱核反應堆中的超高溫等離子體包圍、約束起來,然后慢慢釋放,從而使受控核聚變能源成為21世紀前景廣闊的新能源