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       關(guān)式電源，微處理器和數(shù)字電路應(yīng)用的一個(gè)共同趨勢(shì)是降低高頻工作時(shí)的噪聲。為了做到這一點(diǎn)，元器件必須具備低ESR（電阻率）、高電容和高可靠性。

       鉭電容器陽極的總體表面積，特別是其表面積與體積比，是確定其ESR值的關(guān)鍵參數(shù)之一，總表面積越大，ESR值越大。使用多陽極是大幅降低鉭電容器ESR值的其中一種方法，其做法是在一個(gè)電容體中使用多個(gè)相同的電極材料并排。

       傳統(tǒng)的做法

       在高壽命和高可靠性應(yīng)用中，二氧化錳電板極常規(guī)鉭電容器仍然是一個(gè)普遍的選擇。二氧化錳技術(shù)能提供極好的場(chǎng)性能和環(huán)境穩(wěn)定性以及在很寬的電壓范圍如2.5-50V內(nèi)提供高電阻率和熱阻率，器件設(shè)計(jì)的運(yùn)行溫度在125度以上。然而，與聚合物鉭電容器相比，二氧化錳電極系統(tǒng)較高的ESR是一個(gè)缺點(diǎn)。

       陽極選擇

       單一陽極技術(shù)成為標(biāo)準(zhǔn)通用型選擇是由于其出色的性價(jià)比。多陽極設(shè)計(jì)可提供更低的ESR值，但其缺點(diǎn)是生產(chǎn)成本要高于單陽極解決方案。

       使用標(biāo)準(zhǔn)的芯片集成工藝的槽式陽極設(shè)計(jì)是低ESR與低成本折中的一種結(jié)果。因此，槽式設(shè)計(jì)通常用于價(jià)格敏感同時(shí)要求低ESR的設(shè)計(jì)，而多陽極技術(shù)適合用于既要求低ESR更要求高可靠性的應(yīng)用中，如電信基礎(chǔ)設(shè)施、網(wǎng)絡(luò)、服務(wù)器和軍事/航空航天等應(yīng)用。

       除了上述差異，多陽極的概念有另兩處優(yōu)勢(shì)。

     （1）多陽極設(shè)計(jì)具有更好的散熱性能，這意味著多陽極電容可以承載更高的持續(xù)電流；同理，多陽極電容對(duì)抗電流浪涌危害的能力也更強(qiáng)。

     （2）相較于單一的陽極，多陽極電容的單位容積效率較低，這導(dǎo)致了一種假設(shè)，認(rèn)為多陽極不能達(dá)到與單一陽極一樣的CV（定電壓因素）。事實(shí)上，薄的陽極實(shí)現(xiàn)起來更容易，并且更易被第二個(gè)二氧化錳電極系統(tǒng)穿透，使更高的CV得以利用，因此，多陽極電容器能達(dá)到同樣甚至更高的CV水平。
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