1.首先以分析純試劑采用直接沉淀法制備氧化鎂，探索操作條件對氧化鎂絕緣性能的影響，如反應(yīng)溫度、反應(yīng)時(shí)間、氨溶液濃度、分散劑種類和分散劑添加量。對所得氧化鎂進(jìn)行了XRD、粒度分布表征和體積電阻率的測定。研究結(jié)果表明，氧化鎂絕緣性能與其結(jié)晶度無關(guān)，與其粒度分布有關(guān)。粒度分布越窄且顆粒尺寸越小，絕緣性能越好。http://www.xtmshg.com/
2.為了獲得粒度分布窄的氧化鎂，在直接沉淀法實(shí)驗(yàn)結(jié)果基礎(chǔ)上，探索采用均勻沉淀法制備氧化鎂，以改善的粒度分布和粒徑。探討了煅燒溫度和煅燒時(shí)間對氧化鎂絕緣性能的影響。研究結(jié)果表明，均勻沉淀法有效地減小了氧化鎂的粒度分布寬度。通過分析PL圖譜及體積電阻率的測量結(jié)果，認(rèn)為氧化鎂的絕緣性能與氧化鎂晶體內(nèi)部肖特基缺陷水平無關(guān)。
