.jpg "BSM50GX120DN2進(jìn)口英飛凌整流可控硅IGBT模塊電子元器件")
| 產(chǎn)品參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | 德國英飛凌Infineon | ||
| 批號(hào) | 23 | ||
| 數(shù)量 | 588 | ||
| 制造商 | Infineon | ||
| 產(chǎn)品種類 | IGBT 模塊 | ||
| RoHS | 是 | ||
| 配置 | 3-Phase | ||
| 集電極—射極飽和電壓 | 2.5 V | ||
| 在25 C的連續(xù)集電極電流 | 78 A | ||
| 柵極—射極漏泄電流 | 200 nA | ||
| Pd-功率耗散 | 400 W | ||
| 最小工作溫度 | - 55 C | ||
| 最大工作溫度 | 150 C | ||
| 柵極/發(fā)射極最大電壓 | 20 V | ||
| 零件號(hào)別名 | BSM50GX120DN2BOSA1 SP000100372 BSM50GX120DN2BOSA1 | ||
| 可售賣地 | 全國 | ||
| 型號(hào) | BSM50GX120DN2 | ||
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