| 產品參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | 默克 | ||
| 產品名稱 | AZ膠 光刻膠 AZ5214E AZ5200E AZ4562 AZ1500系列 | ||
| 產品規(guī)格 | 125ml、250ml、500ml | ||
| 用途范圍 | 適用于高分辨率工藝 | ||
| 是否進口 | 是 | ||
| 加工定制 | 否 | ||
| 包裝規(guī)格 | 1kg | ||
| 容量 | 125ml、250ml、500ml | ||
| 可售賣地 | 北京;天津;河北;山西;內蒙古;遼寧;吉林;黑龍江;上海;江蘇;浙江;安徽;福建;江西;山東;河南;湖北;湖南;廣東;廣西;海南;重慶;四川;貴州;云南;西藏;陜西;甘肅;青海;寧夏 | ||
| 型號 | AZ5214E AZ5200E AZ4562 AZ1500 | ||
AZ5214E高解像度圖形反轉正/負可改變型光刻膠，特別為lift-off工藝優(yōu)化。AZ5214E勻膠厚度1.5μm~3μm，AZ5200E系列勻膠厚度為：0.5μm~6μm。
AZ5214E特征：
1) 適用于高分辨率工藝(lift-off工藝)；
2) 適用于正/負圖形；
3) 很寬的膜厚范圍。
AZ 5200E系列光刻膠參考工藝條件：
前烘?：100℃ 60秒 (DHP)；
曝光?：I線步進式曝光機/接觸式曝光機；
反轉烘烤?：110~125℃ 90秒 (DHP):去離子水30秒；
全面曝光?：310~405nm
?(在曝光光源下全面照射)；
顯影?：AZ300MIF (2.38) 23℃ 30~60秒Puddle；
? ? ? ? ：AZ Developer(1:1)23℃ 60秒Dipping；
? ? ? ? ：AZ400K(1:4)23℃ 60秒Dipping；
清洗?：去離子水30秒；
后烘?：120℃ 120秒 (DHP)；
剝離?：AZ剝離液及/或氧等離子體灰化；
產品型號：
型號 | AZ5206E | AZ5214E | AZ5218E | AZ5200NJ |
粘性 | 7mPa | 25mPa | 40mPa | 85mPa |
?
AZP4620超厚膜，高對比度，高感光度G線標準正型光刻膠，適用于半導體制造及GMR磁頭制造。
特征：
1) 高對比度，高感光度
2) 高附著性，對電鍍工藝高耐受性
3) 多種粘度可供選擇
參考工藝條件：
前烘?：100℃ 90秒以上 (DHP)
曝光?：G線步進式曝光機/接觸式曝光系統(tǒng)
顯影?：AZ300MIF顯影液23℃ 60~300秒
清洗?：去離子水
后烘?：120℃ 60秒以上
剝離?：AZ剝離液及/或氧等離子體灰化
產品型號：
型號 | AZ P4210 | AZ P4330 | AZ P4400 | AZ P4620 | AZ P4903 |
粘性 | 49mPa | 115mPa | 160mPa | 400mPa | 1550mPa |
?
AZ?4500系列??AZ4562
具有最佳粘附力的厚光刻膠
特點：
AZ???4500系列（AZ???4533和AZ???4562）是正性厚光刻膠，在普通濕法蝕刻和電鍍工藝中具有優(yōu)良的粘附性能：
l??優(yōu)化對所有常見基材的附著力
l??寬廣的工藝參數(shù)窗口，可實現(xiàn)穩(wěn)定且可重復的光刻工藝
l??與所有常見的顯影液兼容（基于KOH或TMAH）
l??與所有常見的去膠劑兼容（例如AZ100去膠劑、有機溶劑或堿性溶劑）
l??對g，h和i線敏感（約320-440 nm）
l??光刻膠厚度范圍約?3-30微米
?
AZ???4500系列（AZ???4533和AZ???4562）的溶劑濃度不同，因此可達到的光刻膠膜厚有較大的范圍：
光刻膠型號 | 光刻膠膜厚范圍 | 包裝規(guī)格 |
AZ???4533 | 轉速為4000 rpm時，膜厚約為3.3 μm；通過改變轉速，膜后可達2.5-5 μm。 | 多規(guī)格包裝，如1L、2.5L等 |
AZ???4562 | 轉速為4000 rpm時，膜厚約為3.3 μm；通過改變轉速，膜后可達4.5-10 μm；調整旋轉輪廓（中等旋涂速度下短時間旋涂），可達30 μm膜厚。 | 多規(guī)格包裝，如1L、2.5L等 |
若光刻膠膜厚度 30 μm？
通常，AZ?4562可以用來涂覆厚度達30微米及以上。然而，在該厚度范圍內，軟烘烤、曝光、顯影等變得非常耗時。此外，如果涂得太厚，AZ?4562也可能在曝光期間形成N2氣泡。 因此，對于厚度大于30 μm的光刻膠膜厚度，強烈建議使用化學放大的AZ?40 XT光刻膠。
顯影液——適用于AZ???4500光刻膠
如果可以使用含金屬離子的顯影液，可使用1：4稀釋的KOH基AZ?400K作為顯影液（對于更高的光刻膠膜厚度，可用1：3.5 - 1：1的稀釋濃度）。
如果必須使用不含金屬離子的顯影液，我們建議使用基于TMAH基的AZ?326 MIF，AZ?726 MIF或AZ?826 MIF顯影劑（未稀釋）。
?
去膠劑——適用于AZ???4500光刻膠
對于非交聯(lián)的光刻膠薄膜，可以使用AZ?100作為去膠劑，DMSO或其他常見的有機溶劑作為剝離劑。 如果光刻膠膜已交聯(lián)（例如，在干法蝕刻等離子工藝或離子注入時，> 140°C的高溫步驟時），我們建議使用不含NMP的TechniStrip P1316作為去膠劑。
EM膠
電子束光刻膠 | |||||
型號 | 光源 | 類型 | 分辨率 | 厚度（um) | 適用范圍 |
SU-8 GM1010 | 電子束 | 負性 | 100nm | 0.1-0.2 | 可用于做高寬比較大的納米結構。 |
HSQ | 電子束 | 負性 | 6nm | 30nm~180nm | 分辨率最好的光刻膠，抗刻蝕。 |
HSQ Fox-15/16 | 電子束 | 負性 | 100nm | 350nm~810nm | 分辨率最好的光刻膠，抗刻蝕。 |
PMMA(國產) | 電子束 | 正性 | 高分辨率，適用于各種電子束光刻工藝，最常用的電子束光刻正膠。 | ||
PMMA（進口） | 電子束 | 正性 | MicroChem，各種分子量，適用于各種電子束光刻工藝，最常用的電子束光刻正膠。 | ||
PMGI&LOR Lift-off光刻膠<
