| 產(chǎn)品參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 封裝 | 標(biāo)準(zhǔn)封裝 | ||
| 批號(hào) | 22 | ||
| 數(shù)量 | 300 | ||
| 制造商 | Infineon | ||
| 產(chǎn)品種類 | IGBT模塊 | ||
| 配置 | Hex | ||
| 集電極—射極飽和電壓 | 2.15V | ||
| 柵極—射極漏泄電流 | 400nA | ||
| Pd-功率耗散 | 355W | ||
| 封裝/箱體 | Econo2 | ||
| 最小工作溫度 | -40C | ||
| 最大工作溫度 | 125C | ||
| 高度 | 17mm | ||
| 長度 | 107.5mm | ||
| 寬度 | 45mm | ||
| 安裝風(fēng)格 | ChassisMount | ||
| 柵極/發(fā)射極最大電壓 | 20V | ||
| 單位重量 | 180g | ||
| 品牌 | Infineon | ||
| 型號(hào) | FS75R12KT3 | ||
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