.jpg "CONCEPT瑞士驅(qū)動(dòng)板2SD315AI雙刻度驅(qū)動(dòng)核心的IGBT功率MOSFET")
| 產(chǎn)品參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 輸入類(lèi)型 | 施密特觸發(fā)器 | ||
| 輸出類(lèi)型 | 單端 | ||
| 產(chǎn)品種類(lèi) | 門(mén)驅(qū)動(dòng)器 | ||
| RoHS | N | ||
| 產(chǎn)品 | IGBT | ||
| MOSFET Gate Drivers | |||
| 安裝風(fēng)格 | Through Hole | ||
| 激勵(lì)器數(shù)量 | 2 Driver | ||
| 輸出端數(shù)量 | 2 Output | ||
| 輸出電流 | 15 A | ||
| 電源電壓-最小 | 16 V | ||
| 電源電壓-最大 | 14 V | ||
| 上升時(shí)間 | 160 ns | ||
| 最小工作溫度 | 40 C | ||
| 最大工作溫度 | 85 C | ||
| 封裝 | Bulk | ||
| 數(shù)量 | 550 | ||
| 批號(hào) | 最新批號(hào) | ||
| 品牌 | CONCEPT | ||
| 型號(hào) | 2SD315AI | ||
| 封裝/規(guī)格 | CABGA-96(13.5x5.5) | ||
| 類(lèi)型 | Half-Bridge | ||
| 配置 | Inverting | ||
| 下降時(shí)間 | 130 ns | ||
| 集電極—發(fā)射極最大電壓 | VCEO1.2 kV/1.7 kV | ||
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