.jpg "全新進(jìn)口供應(yīng)InfineonIGBT模塊英飛凌FF225R12ME4中文資料參數(shù)")
| 產(chǎn)品參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | Infineon（英飛凌） | ||
| 封裝 | 標(biāo)準(zhǔn)封裝 | ||
| 批號(hào) | 19 | ||
| 數(shù)量 | 3266 | ||
| 制造商 | Infineon | ||
| 產(chǎn)品種類 | IGBT 模塊 | ||
| RoHS | 是 | ||
| 集電極—射極飽和電壓 | 2.15 V | ||
| 在25 C的連續(xù)集電極電流 | 225 A | ||
| 柵極—射極漏泄電流 | 400 nA | ||
| Pd-功率耗散 | 1050 W | ||
| 最小工作溫度 | - 40 C | ||
| 最大工作溫度 | 150 C | ||
| 安裝風(fēng)格 | Chassis Mount | ||
| 柵極/發(fā)射極最大電壓 | 20 V | ||
| 零件號(hào)別名 | FF225R12ME4BOSA1 SP000405064 FF225R12ME4BOSA1 | ||
| 可售賣地 | 北京;天津;河北;山西;內(nèi)蒙古;遼寧;吉林;黑龍江;上海;江蘇;浙江;安徽;福建;江西;山東;河南;湖北;湖南;廣東;廣西;海南;重慶;四川;貴州;云南;西藏;陜西;甘肅;青海;寧夏;新疆 | ||
| 型號(hào) | FF225R12ME4 | ||
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