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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
收購(gòu)原裝液晶驅(qū)動(dòng)IC合肥收購(gòu)新思液晶驅(qū)動(dòng)ICTD4322
收購(gòu)原裝液晶驅(qū)動(dòng)IC合肥收購(gòu)新思液晶驅(qū)動(dòng)ICTD4322
產(chǎn)品價(jià)格:¥300.00
上架日期:2023-10-26 15:20:38
產(chǎn)地:廣東深圳
發(fā)貨地:廣東深圳
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詳細(xì)說(shuō)明
    產(chǎn)品參數(shù)
    品牌新思
    產(chǎn)品特性導(dǎo)電性
    驅(qū)動(dòng)芯片類(lèi)型液晶屏驅(qū)動(dòng)
    針腳數(shù)12
    封裝真空封裝
    系列液晶驅(qū)動(dòng)IC
    功率1kW
    批號(hào)2010及以前、2021
    特色服務(wù)公道
    產(chǎn)品說(shuō)明半導(dǎo)體集成電路
    包裝真空封裝
    應(yīng)用領(lǐng)域3C數(shù)碼
    驅(qū)動(dòng)AC180V10.2W
    驅(qū)動(dòng)AC220V10.4W
    驅(qū)動(dòng)AC265V10.3W
    可售賣(mài)地全國(guó)
    用途手機(jī)
    類(lèi)型驅(qū)動(dòng)IC
    型號(hào)TD4322

    長(zhǎng)期求購(gòu)奕力、凌陽(yáng)、聯(lián)詠、奇景、夕創(chuàng)、墩泰、匯頂、新思、賽普拉斯等各品牌IC

      回收液晶驅(qū)動(dòng)IC,回收裸片IC,回收手機(jī)數(shù)碼類(lèi)驅(qū)動(dòng)IC


    驅(qū)動(dòng)IC在一些非揮發(fā)性存儲(chǔ)器如相變存儲(chǔ)器(Phase-Change Memory;PCM)、磁阻存儲(chǔ)器(Magneto Resistive Memory;M-RAM)、電阻存儲(chǔ)器(Resistive Memory;RRAM)等技術(shù)已蓄勢(shì)待發(fā)、即將邁向商業(yè)量產(chǎn)門(mén)檻之際,DDR4將可能是末代的DDR存儲(chǔ)器,屆時(shí)電腦與軟體結(jié)構(gòu)將會(huì)出現(xiàn)極為劇烈的變動(dòng)。

      NAND Flash逼近制程物理極限 以3D提升容量密度

      以浮閘式(Floating Gate)半導(dǎo)體電路所設(shè)計(jì)的NAND Flash非揮發(fā)性存儲(chǔ)器,隨著Flash制程技術(shù)不斷進(jìn)化、單位容量 不斷下降的情況下,已經(jīng)在智慧手機(jī)、嵌入式裝置與工控應(yīng)用上大量普及。


     Micron自家市場(chǎng)統(tǒng)計(jì)預(yù)測(cè)指出,從2012到2016年總體NAND Flash容量應(yīng)用的年復(fù)合成長(zhǎng)率可達(dá)51。2013年,美光(Micron)與SK Hynix兩家晶圓廠,先后發(fā)表16nm制程的NAND Flash存儲(chǔ)器技術(shù),而東芝(Toshiba)則在2014年直接跨入15nm制程,并推出相關(guān)NAND Flash存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)品。

      NAND Flash傳輸速率,從2010年ONFI 2.0的133MB/s,eMMC v4.41的104MB/s;到2011年ONFI v2.2/Toggle 1.0規(guī)格,傳輸速率提升到200MB/s,eMMC v4.5拉高到200MB/s,UFS 1.0傳輸速率為2.9Gbps;2012年ONFI v3.0/Toggle v1.5提升到400MB/s,UFS v2.0傳輸速率倍增為5.8Gbps;預(yù)估到2015年,ONFI v4.x/Toggle v2.xx規(guī)格定義的傳輸速率增到800MB/s、1.6GB/s。


    隨著NAND Flash制程進(jìn)步與線路寬度與間距的微縮,連帶影響到抹寫(xiě)次數(shù)(P/E Cycles)的縮減。SLC存儲(chǔ)器從3x納米制程的100,000次P/E Cycles、4個(gè)ECC bit到2x納米制程降為60,000 P/E、ECC 24bit。MLC從早期5x納米制程10,000 P/E、ECC 8bit,到2x/2y納米制程時(shí)已降為3,000 P/E、24~40個(gè)ECC bit。

      有廠商提出,eSLC、iSLC的存儲(chǔ)器解決方案,以運(yùn)用既有的 的MLC存儲(chǔ)器,在單一細(xì)胞電路單元使用SLC讀寫(xiě)技術(shù)(只儲(chǔ)存單一位元的電荷值),抹寫(xiě) 度提升到30,000次P/E, 雖比MLC高,但 遠(yuǎn)優(yōu)于SLC,可應(yīng)用在IPC/Kiosk/POS系統(tǒng)、嵌入式系統(tǒng)、伺服器主機(jī)板以及薄型終端機(jī)等。


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