| 產(chǎn)品參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | 日本菊水KIKUSUI | ||
| 產(chǎn)品特性 | 絕緣電阻 | ||
| 是否進(jìn)口 | 否 | ||
| 產(chǎn)地 | 日本 | ||
| 加工定制 | 否 | ||
| 測(cè)量范圍 | TOS7210S | ||
| 測(cè)量精度 | TOS7210S | ||
| 電源電壓 | TOS7210SV | ||
| 尺寸 | TOS7210Smm | ||
| 可售賣(mài)地 | 全國(guó) | ||
| 用途 | TOS7210S | ||
| 類(lèi)型 | 便攜式安全儀器 | ||
| 型號(hào) | TOS7210S | ||
TOS7210S日本菊水絕緣電阻測(cè)試儀基本介紹
PID絕緣測(cè)試儀（TOS7210S）是為準(zhǔn)確有效地對(duì)太陽(yáng)能電池模塊的PID現(xiàn)象進(jìn)行評(píng)估,
以絕緣電阻測(cè)試儀（TOS7200）為基礎(chǔ)設(shè)計(jì)而成的測(cè)試儀,
可在50Vdc-2000Vdc（分辨率1V）范圍內(nèi)實(shí)施設(shè)定,
絕緣電阻試驗(yàn)測(cè)量范圍：0.01MΩ——5000MΩ(DC50V——2000V)
?????????????????????????????????????? 0.000μA——1900μA（DC50V——2000V）
標(biāo)配RS-232C接口
TOS7210S日本菊水絕緣電阻測(cè)試儀性能特點(diǎn)
陣容
型號(hào)規(guī)格 ? ? ? ? ? ? ? ?TOS7210S (SPEC80776)PID絕緣測(cè)試儀（TOS7210S）是為準(zhǔn)確有效地對(duì)太陽(yáng)能電池模塊的PID(Potential Induced Degradation)現(xiàn)象進(jìn)行評(píng)估, 以絕緣電阻測(cè)試儀（TOS7200）為基礎(chǔ)設(shè)計(jì)而成的測(cè)試儀, 可在50Vdc-2000Vdc（分辨率1V）范圍內(nèi)實(shí)施設(shè)定, 可通過(guò)面板側(cè)的開(kāi)關(guān)即時(shí)切換施加電壓極性, 輸出端子與接地電位間為浮地狀態(tài), 只測(cè)量通過(guò)測(cè)量點(diǎn)間的電流. 可對(duì)電流測(cè)量值或電阻測(cè)量值進(jìn)行切換顯示, 測(cè)試線(xiàn)（TL51-TOS）
TOS7210S日本菊水絕緣電阻測(cè)試儀技術(shù)參數(shù)
概要
PID絕緣測(cè)試儀（TOS7210S）是為準(zhǔn)確有效地對(duì)太陽(yáng)能電池模塊的PID(Potential Induced Degradation)現(xiàn)象進(jìn)行評(píng)估，以絕緣電阻測(cè)試儀（TOS7200）為基礎(chǔ)設(shè)計(jì)而成的測(cè)試儀。?
附有極性切換功能，輸出電壓可達(dá)2000V,同時(shí)裝載了n 分辨率的電流表，因此不僅可以進(jìn)行PID評(píng)估，還可以用于要求進(jìn)行高敏感度測(cè)試的絕緣體評(píng)估測(cè)試。標(biāo)準(zhǔn)安裝了可從外部調(diào)用的面板存儲(chǔ)器及RS232C接口，因此也可以靈活對(duì)應(yīng)自動(dòng)化系統(tǒng)。
什么是PID現(xiàn)象?
PID現(xiàn)象是指太陽(yáng)能電池與邊框長(zhǎng)期被施以高電壓，電池發(fā)電量降低的現(xiàn)象。目前認(rèn)為所施加的電壓越高，越是在高溫、高濕的環(huán)境下劣化現(xiàn)象越嚴(yán)重。如晶體硅太陽(yáng)能電池模塊的輸出電壓即使只有數(shù)十V，一旦直接連接的片數(shù)增加，串內(nèi)的電位差將變得非常高。一方面，PCS（Power Conditioning System）作為交流電源與系統(tǒng)相連,使接地形態(tài)發(fā)生變化。輸入端采用浮接（一側(cè)電極不能接地線(xiàn)）的無(wú)變壓器方式近年有所增加。這種情況下電池和地線(xiàn)間將發(fā)生高電位差?，F(xiàn)在可明確的是，晶體硅太陽(yáng)能電池模塊中，相對(duì)于邊框（接地線(xiàn)）負(fù)極電位高的電池容易發(fā)生PID現(xiàn)象。（請(qǐng)參照?qǐng)D1）目前，日本國(guó)內(nèi)以 大600V、歐洲以 大1000V的系統(tǒng)電壓運(yùn)行太陽(yáng)能電池模塊，但是目前出現(xiàn)了提高 大系統(tǒng)電壓以削減企業(yè)用大規(guī)模太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)的串?dāng)?shù)、PCS總數(shù)，提高發(fā)電效率的趨勢(shì)。?
圖2模擬了晶體硅太陽(yáng)能電池模塊的處于高電位差的狀況。邊框?yàn)檎龢O電位、模塊電路處于負(fù)極高電位的狀況。目前認(rèn)為是由于超白鋼化玻璃內(nèi)的鈉離子向電池側(cè)遷移而引起劣化。（薄膜太陽(yáng)能電池模塊也被確認(rèn)出現(xiàn)PID現(xiàn)象，但是發(fā)生劣化的機(jī)制與晶體硅太陽(yáng)能電池模塊不同。）現(xiàn)在，各種研究機(jī)構(gòu)正在通過(guò)研究、試驗(yàn)查找PID現(xiàn)象的原因。
TOS7210S日本菊水絕緣電阻測(cè)試儀使用說(shuō)明
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