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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
供應(yīng)原裝FQD13N10 100V的N溝道MOSFET
供應(yīng)原裝FQD13N10 100V的N溝道MOSFET
產(chǎn)品價(jià)格：￥0
上架日期：2012-06-07 21:30:06
產(chǎn)地：本地
發(fā)貨地：深圳
供應(yīng)數(shù)量：不限
最少起訂：1個(gè)
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詳細(xì)說(shuō)明
    完整型號(hào):
    FQD13N10
    FQD13N10TM
    FQU13N10
    品牌: FAIRCHILD
    封裝: SOT-252,TO-251
    年份: 09+
    數(shù)量: 300000
    最小包裝:編帶盤(pán)裝 2500/盤(pán)
    產(chǎn)品描述:
    FQD13N10 N溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管是利用飛兆半導(dǎo)體專(zhuān)有的，
    平面條紋，DMOS工藝技術(shù)。這種先進(jìn)的技術(shù)，特別是針對(duì)已
    盡量減少對(duì)通態(tài)電阻，提供優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能，經(jīng)受住了高能量脈沖
    雪崩和減刑模式。這些設(shè)備是很好適用于諸如音頻放大器的低電壓應(yīng)用中，
    高效率開(kāi)關(guān)直流/直流轉(zhuǎn)換器及直流電動(dòng)機(jī)控制。
    特點(diǎn)
    1.10A，100V，RDS（上）=0.18Ω@ VGS電壓= 10V
    2.低柵極電荷（典型值12nC）
    3.低Crss（20 pF的典型）
    4.快速切換
    5.100％雪崩測(cè)試
    6.改進(jìn)的dv/dt的能力
在線詢盤(pán)/留言
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