CM150DY-24A三菱模塊全國總代理：
三菱電機開始發(fā)售搭載第6代IGBT芯片的“MPD系列IGBT模塊
實現(xiàn)兆瓦級太陽能與風(fēng)力發(fā)電變流器小型化和高效化
搭載第6代IGBT芯片 的“MPD系列IGBT模塊”開始發(fā)售
三菱電機株式會社定于5月31日開始發(fā)售MPD系列※1IGBT模塊的3種新產(chǎn)品，這些產(chǎn)品搭載了第6代IGBT※2 芯片，用于兆瓦級太陽能發(fā)電系統(tǒng)和風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)的功率調(diào)節(jié)器等電力轉(zhuǎn)換設(shè)備。
本產(chǎn)品將在2012年的PCIM Europe展 (5月8～10日在德國紐倫堡舉行)上展出。
※1 Mega Power Dual：大容量雙元件功率模塊
※2 Insulated Gate Bipolar Transistor：絕緣柵雙極晶體管
「MPD系列IGBT模塊」
新產(chǎn)品的特點：
1．搭載第6代IGBT芯片，有助電力轉(zhuǎn)換設(shè)備小型化和高效化
・采用第6代CSTBT※3，集電極與發(fā)射極之間的飽和電壓比以前第5代※4降低約15%
・柵電容比以前※4降低約30～50％
・最高結(jié)溫為175℃，比以前※4提高25℃,有助電力轉(zhuǎn)換設(shè)備小型化
※3 Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor：載流子存儲式絕緣柵雙極性晶體管
※4 第5世代IGBT模塊「CM900DUC-24NF」「CM1400DUC-24NF」「CM1000DUC-34NF」
2．確保與現(xiàn)有機型互相兼容，可更換
・在外形、端子排列等方面，確保與之前第5代※4互相兼容
・絕緣耐壓為4000V，比以前※4提高14％～60％
環(huán)?？紤]：
符合歐盟成員國限制6種特定有害物質(zhì)的RoHS※5指令。
※5 Restriction of the use of certain Hazardous Substances in electrical and electronic equipment
