IGBT的主要參數(shù):集電極電流ICM:表征IGBT的電流容量,分為直流條件下的IC和1ms脈沖條件下的ICP。集電極-發(fā)射極電壓UCES:表征IGBT集電極-發(fā)射極的耐壓能力。目前IGBT耐壓等級(jí)有600V、1000V、1200V、1400V、1700V、3300V。柵極-發(fā)射極擊穿電壓UGEM:表征IGBT柵極-發(fā)射極之間能承受的電壓,其值一般為±20V。柵極-發(fā)射極開(kāi)啟電壓UGE(th):指IGBT器件在一定的集電極-發(fā)射極電壓UCE下,流過(guò)一定的集電極電流IC時(shí)的最小開(kāi)柵電壓。當(dāng)柵源電壓等于開(kāi)啟電壓UGE(th)時(shí),IGBT開(kāi)始導(dǎo)通。輸入電容cIES:指IGBT在一定的集電極-發(fā)射極電壓UCE和柵極-發(fā)射極電壓UGE=0下,柵極-發(fā)射極之間的電容,表征柵極驅(qū)動(dòng)瞬態(tài)電流特征。
上海乙幸科技有限公司主營(yíng)的業(yè)務(wù)有:電力電子元器件,變頻器配件及各品牌熔斷器元器件 主營(yíng):英飛凌,三菱,富士,三社,西門子,西門康,IXYS,IR,ABB,WESTCODE,DYNEX等系列IGBT,IPM,PIM,GTR,可控硅,晶閘管,整流橋,二極管等功率模塊;CONCEPT驅(qū)動(dòng),EPCOS電解電容及各類熔斷器!
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