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產(chǎn)品簡介
GHW-12Z ENI 射頻等離子體發(fā)生器
GHW-12Z ENI 射頻等離子體發(fā)生器
產(chǎn)品價格:
上架日期:2024-03-18 17:33:33
產(chǎn)地:本地
發(fā)貨地:本地至全國
供應(yīng)數(shù)量:不限
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詳細說明
      GHW-12Z ENI 射頻等離子體發(fā)生器

      型號:GHW-12Z

      品牌:ENI

      制造商:ENI

      系列:GHW

      產(chǎn)品描述

      GHW-12Z ENI射頻等離子體發(fā)生器產(chǎn)生射頻等離子體。

      特征:

      具有自我尋址、自我定位、自動I/O檢測等特點。

      GHW-12Z ENI射頻等離子體發(fā)生器是一種高性能、高可靠性的射頻電源,專為產(chǎn)生射頻等離子體而設(shè)計。

      GHW-12Z ENI射頻等離子體發(fā)生器采用先進的射頻技術(shù)和控制電路,具有快速響應(yīng)、高精度、高穩(wěn)定性等特點。同時,它還具備自我保護和故障診斷功能,確保設(shè)備的長期穩(wěn)定運行。

      GHW50 13.56 MHz、5 kW射頻等離子體發(fā)生器提供經(jīng)過現(xiàn)場驗證的可靠性、卓越的穩(wěn)定性和的可重復(fù)性,可實現(xiàn)高正常運行時間和工藝良率。GHW系列射頻等離子體發(fā)生器可提供208 VAC和400/480 VAC電壓。GHW RF等離子體發(fā)生器非常適合集成電路、平板顯示器和數(shù)據(jù)存儲設(shè)備制造過程中的等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)、高密度等離子體CVD(HDPCVD)、蝕刻和其他薄膜應(yīng)用。

      應(yīng)用領(lǐng)域

      GHW-12Z ENI射頻等離子體發(fā)生器廣泛應(yīng)用于主要應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)、材料科學、生物醫(yī)學等領(lǐng)域,如等離子體刻蝕、薄膜制備、表面處理等。

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