RYC751C3-VVT2 變頻器 質(zhì)量可靠
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RYC751C3-VVT2 變頻器 質(zhì)量可靠
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出多功能新型30V n溝道TrenchFET® 第五代功率MOSFET---SiSD5300DN，進(jìn)一步提高工業(yè)、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子和通信應(yīng)用的功率密度，增強(qiáng)熱性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源極倒裝技術(shù)3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-F封裝，10V柵極電壓條件下導(dǎo)通電阻僅為0.71 m?，導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即開(kāi)關(guān)應(yīng)用中MOSFET關(guān)鍵的優(yōu)值系數(shù)（FOM）為42 m?*nC，達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平。
日前發(fā)布的器件占位面積與PowerPAK 1212-8S封裝相同，導(dǎo)通電阻降低18%，提高了功率密度，同時(shí)源極倒裝技術(shù)將熱阻從63?C/W降至56?C/W。此外，SiSD5300DN優(yōu)值系數(shù)比上代器件低35%，從而降低了導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗，節(jié)省功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的能源。
PowerPAK1212-F源極倒裝技術(shù)顛倒通常接地焊盤(pán)和源極焊盤(pán)的位置，擴(kuò)大接地焊盤(pán)面積，提供更有效的散熱路徑，有助于降低工作溫度。同時(shí)，PowerPAK 1212-F減小了開(kāi)關(guān)區(qū)范圍，有助于降低跡線噪聲的影響。另外，PowerPAK 1212-F封裝源極焊盤(pán)尺寸增加了10倍，從0.36mm2提高到4.13 mm2，從而改進(jìn)熱性能。PowerPAK1212-F中央柵極結(jié)構(gòu)還簡(jiǎn)化了單層PCB基板多器件并聯(lián)的使用。
RYC751C3-VVT2 變頻器 質(zhì)量可靠
我司產(chǎn)品應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1,《發(fā)電廠DCS監(jiān)控系統(tǒng)》
2,《智能平鋼化爐系統(tǒng)制造》
3,《PLC可編程輸送控制系統(tǒng)》
4,《DCS集散控制系統(tǒng)》
5,《智能型消防供水控制系統(tǒng)》
6,《化工廠藥液恒流量計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)》
7,《電氣控制系統(tǒng)》造紙,印染生產(chǎn)線,變電站綜合自動(dòng)化控制系統(tǒng)
并且廣泛應(yīng)用于數(shù)控機(jī)械 冶金,石油天然氣,石油化工,化工,造紙印刷,紡織印染,機(jī)械,電子制造,汽車(chē)制造,煙草,塑膠機(jī)械,電力,水利,水處理/環(huán)保,市政工程,鍋爐供暖,能源,輸配電
