| 訂貨產(chǎn)品號 | HG-C1100-P |
| 型號 | HG-C1100-P |
| 產(chǎn)品 | CMOS型微型激光位移傳感器 |
| 詳細(xì) | 檢測中心100mm型 |
| 產(chǎn)品名稱 | CMOS型微型激光位移傳感器HG-C |
截至2022年04月12日
為了改善本產(chǎn)品，會(huì)有在未事先通知的情況下變更本產(chǎn)品的規(guī)格及設(shè)計(jì)的情況。
| 項(xiàng)目 | 內(nèi)容 |
|---|---|
| 訂貨產(chǎn)品號 | HG-C1100-P |
| 型號 | HG-C1100-P |
| 適合規(guī)格 | EMC適合指令、FDA規(guī)則 |
| 測量中心距離 | 100mm |
| 測量范圍 | ±35mm |
| 重復(fù)精度 | 70μm |
| 直線性 | ±0.1% F.S. |
| 溫度特性 | 0.03% F.S./℃ |
| 光源 |
紅色半導(dǎo)體激光 2級(JIS/IEC/GB)/II級(FDA)(注) 輸出:1mW 投光峰波長度:655nm (注):根據(jù)FDA規(guī)則中Laser Notice No.50規(guī)定、遵守FDA規(guī)則。 |
| 光束直徑 |
約?120μm (注):測量中心距離的大小。按照中心光強(qiáng)度的1/e2(約13.5%)定義。如果定義區(qū)域外有光泄漏、并且檢測點(diǎn) 周圍有高于檢測點(diǎn)本身的強(qiáng)反射、測定結(jié)果可能會(huì)受到影響。 |
| 電源電壓 | 12～24V DC±10% 脈動(dòng)P-P10%以下 |
| 消耗電流 |
40mA以下(電源電壓24V DC時(shí)) 65mA以下(電源電壓12V DC時(shí)) (注) : 從2016年6月生產(chǎn)的產(chǎn)品開始進(jìn)行規(guī)格變更。2016年5月前生產(chǎn)的產(chǎn)品： 40mA以下(電源電壓24V DC時(shí))、60mA以下(電源電壓12V DC時(shí)) |
| 控制輸出 |
PNP開路集電極晶體管 ?源電流:50mA ?外加電壓:30V DC以下(控制輸出-+V之間) ?剩余電壓:1.5V以下(流出電流50mA時(shí)) ?漏電流:0.1mA以下 |
| 控制輸出:輸出動(dòng)作 | 入光時(shí)ON/非入光時(shí)ON 可切換 |
| 控制輸出:短路保護(hù) | 配備(自動(dòng)恢復(fù)) |
| 模擬輸出 : 模擬量電壓輸出 |
?輸出范圍：0～5V(報(bào)警時(shí)：+5.2V) ?輸出阻抗：100Ω |
| 模擬輸出 : 模擬電流輸出 |
?輸出范圍：4～20mA(報(bào)警時(shí)：0mA) ?輸出阻抗：300Ω (注) : 從2016年6月生產(chǎn)的產(chǎn)品開始追加了模擬電流輸出功能。 |
| 反應(yīng)時(shí)間 | 1.5ms/5ms/10ms 可切換 |
| 外部輸入 |
PNP無接點(diǎn)輸入 ?輸入條件 無效:0～+0.6V DC或開路 有效:+4～+V DC ? 輸入阻抗:約10kΩ |
| 污損度 | 2 |
| 使用標(biāo)高 | 2,000m以下 |
| 耐環(huán)境性:保護(hù)構(gòu)造 | IP67(IEC) |
| 耐環(huán)境性:使用環(huán)境溫度 | -10～+45℃(注意不可結(jié)露、結(jié)冰)、存儲時(shí)20～+60℃ |
| 耐環(huán)境性:使用環(huán)境濕度 | 35～85%RH、存儲時(shí):35～85%RH |
| 耐環(huán)境性:使用環(huán)境照度 | 白熾燈:受光面照明度3,000 lx以下 |
| 耐環(huán)境性:耐振動(dòng) | 耐久10～55Hz(周期1分鐘) 雙振幅1.5mm XYZ各方向2小時(shí) |
| 耐環(huán)境性:耐沖擊 | 耐久500m/s2(約50G) XYZ各方向3次 |
| 電纜 | 0.2mm2 5芯復(fù)合電纜, 長2m |
| 電纜延長 | 0.3mm2以上電纜 最多延長至全長10m |
| 材質(zhì) |
本體外殼:壓鑄鋁 前罩:丙烯基 |
| 重量 | 本體重量:約35g(不含電纜)、約85g(含電纜) |
