infineon英飛凌、賽米控（西門康）SEMIKRON 可控硅 IGBT 系列產品，本公司可直接向德國訂貨，貨源穩(wěn) 交期快 量大更優(yōu)惠！保證每顆型號都為原裝正品新件。歡迎新老客戶咨詢！
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FZ1600R12KE3、FZ1600R17KF6C_B2、FZ1600R12KL4C
FZ1800R12KF4、FZ1800R12KL4C、FZ1800R12HP4_B9
FZ3600R12KE3、FZ600R12KS4、FZ600R12KE3、FZ600R12KE3_B1
FZ600R12KE4、FZ600R12KP4、FZ600R12KS4
FZ1200R17KF6C_B2
FZ1600R12KL4C、FZ2400R12KE3、FZ400R17KE3、FZ800R12KS4_B2
FZ2400R12KE3、FZ2400R12KE3_B9、FZ2400R12KF4
FZ2400R12KL4C、FZ2400R12HP4_B9
FZ2400R17KE3、FZ2400R12HP4
FZ3600R12KE3、FZ3600R12HP4、
FD300R12KS4_B5
FS系列
FS10R06XL4、FS15R06XL4、FS20R06XL4、FS30R06XL4
FS75R06KL4、FS100R06KL4、FS150R06KL4、FS200R06KL4
FS400R12KF4、FS75R12KS4、FS100R12KS4、FS25R12KE3G
FS50R12KE3、FS75R12KE3、FS100R12KE3、FS150R12KE3
FS300R12KE3、FS450R12KE3、FS10R12YT3、FS15R12YT3
FS35R12KT3、FS50R12KT3、FS75R12KT3、FS75R12KT3G
FS150R12KT3、FS50R06YL4、FS300R12KF4、FS35R12KE3G
FS225R12KE3、FS25R12KT3、FS100R12KT3
英飛凌 IGBT(2U):FF75R12Y3、FF100R12YT3、FF150R12YT3、BSM25GB120DN2、
BSM35GB120DN2、BSM50GB120DN2、BSM75GB120DN2、BSM100GB120DN2、BSM100GB120DN2K、
BSM150GB120DN2、BSM200GB120DN2、BSM300GB120DN2、BSM50GB120DLC、BSM75GB120DLC、
BSM100GB120DLC、BSM150GB120DLC、BSM200GB120DLC、BSM300GB120DLC、BSM100GB120DLCK、
FF100R12KS4、FF150R12KS4、FF200R12KS4、FF300R12KS4、FF400R12KS4、FF600R12KF4、
FF400R12KF4、FF800R12KF4、FF400R12KL4C、FF600R12KL4C、FF800R12KL4C、FF150R12KE3、
FF150R12KE3G、FF200R12KE3、FF300R12KE3、FF400R12KE3、FF200R12KT3、FF300R12KT3、
FF400R12KT3、FF400R16KF4、FF600R16KF4、FF400R17KF6C_B2、FF600R17KF6C_B2、
FF800R17KF6C_B2、FF401R17KF6C_B2、FF200R17KE3、FF300R17KE3、FF600R17KE3、
FF800R17KE3、FF1200R17KE3、FF400R17KE3_B2、FF600R17KE3_B2、FF800R17KE3_B2、
FF1200R17KE3_B2、FF650R17IE4、FF1000R17IE4、BSM50GB170DN2、BSM75GB170DN2、
BSM100GB170DN2、BSM150GB120DN2、BSM100GB170DLC、BSM75GB170DLC、BSM150GB170DLC、
BSM200GB170DLC、FF150R17ME3G、FF225R17ME3、FF300R17ME3、FF450R17ME3、BSM50GB60DLC、
BSM75GB60DLC、BSM75GB60DLC、BSM100GB60DLC、BSM150GB60DLC、BSM200GB60DLC、BSM300GB60DLC、
FF200R06K3、FF300R06KE3、FF400R06KE3、FD300R06KE3、FF450R06ME3、FF600R06ME3.
TOSHIBA IPM 東芝智能型，帶驅動保護功能 IPM
型號 技術指標 型號 技術指標
MIG50J7CSA0A 50A/600V/7U MIG400J101H 400A/600V/2U
MIG75J7CSA0A 75A/600V/7U MIG50Q201H 50A/1200V/7U 驅動
MIG100J7CSA0A 100A/600V/7U MIG75Q201H 75A/1200V/7U 驅動
MIG150J7CSA0A 150A/600V/7U MIG75Q202H 75A/1200V/7U 驅動
MIG500J101 500A/600V/7U MIG100Q201H 100A/1200V/7U 驅動
MIG20J103H 20A/600V/6U MIG150Q101H 150A/1200V/ 2U
MIG20J106L 20A/600V MIG200Q101H 200A/1200V/ 2U
MIG30J103H 30A/600V/6U MIG300Q201H 300A/1200V/ 2U
MIG50J101H 50A/600V/6U MIG50Q7CSA0X 50A/1200V/ 7U
MIG50J201H 50A/600V/7U MIG75Q7CSA0X 75A/1200V/ 7U
MIG75J101H 75A/600V/6U MIG100Q7CSA0X 100A/1200V/ 7U
MIG75J201H 75A/600V/7U MIG150Q7CSA0X 150A/1200V/ 7U
MIG100J101H 100A/600V/6U MIG50Q6CMB1X 50A/1200V/ 6U
MIG100J201H 100A/600V/7U MIG75Q6CMB1X 75A/1200V/ 6U
MIG150J202H 150A/600V/7U MIG100Q6CMB1X 100A/1200V/ 6U
MIG200J201H 200A/600V/7U MIG150Q6CMB1X 150A/1200V/ 6U
MIG300J101H 300A/600V/2U
東芝復合模塊 PIM
型號 技術指標 型號 技術指標
MIG15J805H 三相橋 +6U/15A/600V MIG50J901H 三相橋 +7U/50A/600V
MIG20J805H 三相橋 +6U/20A/600V MIG50J904H 三相橋 +7U/50A/600V
MIG20J902H 三相橋 +6U/20A/600V MIG10Q805H 三相橋 +6U/10A/1200V
MIG30J804H 三相橋 +6U/30A/600V MIG15Q804H 三相橋 +6U/15A/1200V
MIG30J904H 三相橋 +7U/30A/600V MIG15Q904H 三相橋 +7U/15A/1200V
MIG50J804H 三相橋 +6U/50A/600V MIG15Q901H 三相橋 +7U/15A/1200V
MIG20J806H 三相橋 +6U/20A/600V MIG25Q804H 三相橋 +6U/25A/1200V
MIG30J902H 三相橋 +6U/30A/600V MIG25Q904H 三相橋 +7U/25A/1200V
MIG30J901H 三相橋 +7U/30A/600V MIG10Q806H 三相橋 +6U/10A/1200V
MIG25Q901H 三相橋 +7U/25A/1200V MIG15Q904H 三相橋 +7U/15A/1200V
MIG25Q906H 三相橋 +7U/25A/1200V MIG25Q806H 三相橋 +6U/25A/1200V
MIG15Q806H 三相橋 +6U/15A/1200V MIG15Q901H 三相橋 +7U/15A/1200V
MOTOROLA 摩托羅拉 PIM 整流逆變集成
型號 技術指標 型號 技術指標
MHPM7A15A60A 15A/600V/7U MHPM7B12A120A 12A/1200V/7U
MHPM7B15A60A 15A/600V/7U MHPM7A15A120A 15A/1200V/7U
MHPM7A20A60A 20A/600V/7U MHPM7B15A120A 15A/1200V/7U
MHPM7A30A60B 30A/600V/7U MHPM7A16A120B 16A/1200V/7U
MHPM7A8A120A 8A/1200V/7U MHPM7B25A120B 25A/1200V/7U
IXYS Three phase 三相全橋 IGBT 模塊
型號 技術指標 型號 技術指標
MUBW15-06A6 15A(90℃時)/600V MUBW15-12A7 25A(80℃時)/1200V
MUBW20-06A6 20A(90℃時)/600V MUBW25-12A7 35A(80℃時)/1200V
MUBW10-12A6 8A(90℃時)/1200V MUBW35-12A7 35A(80℃時)/1200V
MUBW15-12A6
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
保管時的注意事項
一般保存IGBT模塊的場所，應保持常溫常濕狀態(tài)，不應偏離太大。常溫的規(guī)定為5～35℃ ，常濕的規(guī)定在45～75%左右。在冬天特別干燥的地區(qū)，需用加濕機加濕; 盡量遠離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場合； 在溫度發(fā)生急劇變化的場所IGBT模塊表面可能有結露水的現(xiàn)象，因此IGBT模塊應放在溫度變化較小的地方； 保管時，須注意不要在IGBT模塊上堆放重物； 裝IGBT模塊的容器，應選用不帶靜電的容器。 IGBT模塊由于具有多種優(yōu)良的特性，使它得到了快速的發(fā)展和普及，已應用到電力電子的各方各面。因此熟悉IGBT模塊性能，了解選擇及使用時的注意事項對實際中的應用是十分必要的。
