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產(chǎn)品簡介
KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 濺射多層沉積 Nb3Sn 超導薄膜
KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 濺射多層沉積 Nb3Sn 超導薄膜
產(chǎn)品價格:¥1
上架日期:2021-03-17 15:46:01
產(chǎn)地:美國
發(fā)貨地:本地至全國
供應數(shù)量:不限
最少起訂:1臺
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詳細說明

    國內(nèi)某大學采用雙 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140  作為濺射源分別濺射沉積鈮和錫, 再經(jīng)過高溫退火后獲得 Nb3Sn 超導薄膜. 用這種方法所獲得的超導薄膜的原子組分的調(diào)整比較方便,對于 Nb3Sn 的研究較為有利. 實驗測量了樣品的超導參數(shù)和晶格參數(shù).

     

    伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 技術(shù)參數(shù):

    型號

    RFICP140

    Discharge

    RFICP 射頻

    離子束流

    >600 mA

    離子動能

    100-1200 V

    柵極直徑

    14 cm Φ

    離子束

    聚焦, 平行, 散射

    流量

    5-30 sccm

    通氣

    Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

    典型壓力

    < 0.5m Torr

    長度

    24.6 cm

    直徑

    24.6 cm

    中和器

    LFN 2000

     

    Nb3Sn 超導薄膜樣品的實驗研究是在 Al2O3(Sapphire) 上進行的, 采用鈮濺射源和錫濺射源交替對樣品進行濺射沉積,其中鈮濺射源在上部, 錫濺射源在下部, 因為錫的熔點低. 退火采用電爐絲.

     

    濺射沉積的過程是, 首先在基片上濺射沉積一層鈮附著膜, 然后以固定速度旋轉(zhuǎn)樣品固定板,使得樣品交替面對鈮濺射源和錫濺射源, 形成多層膜結(jié)構(gòu), 后再濺射沉積一層鈮覆蓋膜.

     

    KRI 離子源的獨特功能實現(xiàn)了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實現(xiàn)的.

     

    KRI 離子源是領(lǐng)域公認的, 已獲得許多專利. KRI 離子源已應用于許多已成為行業(yè)標準的過程中.

     

    伯東是德國 Pfeiffer 真空泵檢漏儀質(zhì)譜儀真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的代理商.

     

    若您需要進一步的了解詳細信息或討論, 請參考以下聯(lián)絡方式:

    上海伯東: 羅先生                               臺灣伯東: 王女士
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