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產(chǎn)品簡介
KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 濺射沉積紅外器件介質(zhì)膜
KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 濺射沉積紅外器件介質(zhì)膜
產(chǎn)品價格:¥11
上架日期:2021-01-15 15:39:58
產(chǎn)地:美國
發(fā)貨地:本地至全國
供應(yīng)數(shù)量:不限
最少起訂:1臺
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詳細說明

    某紅外半導(dǎo)體鍍膜工業(yè)廠商采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積紅外器件介質(zhì)膜以提高鍍膜厚度的均勻性

     

    伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術(shù)參數(shù):

    離子源型號

    RFICP220

    Discharge

    RFICP 射頻

    離子束流

    >800 mA

    離子動能

    100-1200 V

    柵極直徑

    20 cm Φ

    離子束

    聚焦,  平行,  散射

    流量

    10-40 sccm

    通氣

    Ar,  Kr,  Xe,  O2,  N2,  H2,  其他

    典型壓力

    < 0.5m Torr

    長度

    30 cm

    直徑

    41 cm

    中和器

    LFN 2000

    可選燈絲中和器可變長度的增量

    KRI 射頻離子源 RFICP 220

    提高鍍膜均勻性的重要性:

    以碲鎘汞半導(dǎo)體材料為代表的紅外探測器器件工藝中幾乎都要進行表面鈍化和金屬膜電極成型工藝在紅外焦平面和讀出電路的互連工藝中金屬膜的厚度均勻性對于互連工藝的可靠性起著至關(guān)重要的作用.  在背照式紅外探測器的紅光收面往往都要涂鍍一層或數(shù)層介質(zhì)膜以起到對器件進行保護和對紅外輻射減反射的作用介質(zhì)膜的厚度均勻性同樣會影響探測器的濾光和接收帶寬

     

    為了提高均勻性客戶同時采用基片離心旋轉(zhuǎn)法樣品臺轉(zhuǎn)速為 15 r/min. 

     

    KRI 離子源的獨特功能實現(xiàn)了更好的性能增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實現(xiàn)的.

     

    若您需要進一步的了解詳細信息或討論,  請參考以下聯(lián)絡(luò)方式:

    上海伯東羅先生                               臺灣伯東王女士
    T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
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