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產(chǎn)品簡介
伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 濺射制備 VO2 薄膜
伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 濺射制備 VO2 薄膜
產(chǎn)品價格:¥11
上架日期:2021-01-04 15:46:03
產(chǎn)地:美國
發(fā)貨地:本地至全國
供應數(shù)量:不限
最少起訂:1臺
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詳細說明

    VO薄膜作為一種熱門的功能材料具有優(yōu)秀的相變特性和電阻開關(guān)特性在微測輻射熱計、光存儲器等光學器件領(lǐng)域具有廣泛的應用前景.

     

    天津某材料制造商采用伯東 KRI 射頻離子源 RFICP380 輔助磁控濺射沉積制備 VO2 薄膜以獲得均勻性好沾污少附著力強較高的透過率的 VO薄膜.

     

    KRI 射頻離子源 RFICP380 技術(shù)參數(shù):

    射頻離子源型號

    RFICP380

    Discharge 陽極

    射頻 RFICP

    離子束流

    >1500 mA

    離子動能

    100-1200 V

    柵極直徑

    30 cm Φ

    離子束

    聚焦平行散射

    流量

    15-50 sccm

    通氣

    Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

    典型壓力

    < 0.5m Torr

    長度

    39 cm

    直徑

    59 cm

    中和器

    LFN 2000

     KRI 考夫曼離子源 RFICP 380

    客戶采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP380 產(chǎn)生離子束不斷轟擊源極靶材和工件工件在離子束轟擊下迅速被加熱至高溫源極靶材在轟擊作用下濺射出的合金元素不斷奔向工件表面經(jīng)沉積擴散過程形成一定厚度的涂層.

     

    KRI 射頻離子源 RFICP380 運行結(jié)果:

    1. 獲得的薄膜在可見光波段具有較高的透過率

    2. 薄膜較為平整且對可見光的透過率較高為38%退火處理提高了薄膜的結(jié)晶性和透過率

    3. 制備出單斜結(jié)構(gòu)的VO2薄膜且具有晶面擇優(yōu)取向

    4. 制備的薄膜均勻性好沾污少附著力強沉積速率大效率高產(chǎn)量高

     

    伯東是德國 Pfeiffer 真空泵檢漏儀質(zhì)譜儀真空計美國 KRI 考夫曼離子源美國HVA 真空閥門美國 inTEST 高低溫沖擊測試機美國 Ambrell 感應加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.

     

    若您需要進一步的了解詳細信息或討論請參考以下聯(lián)絡(luò)方式:

    上海伯東羅先生                               臺灣伯東王女士
    T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
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